TELKOM NIKA Indonesia n  Journal of  Electrical En gineering   Vol. 16, No. 3, Dece mbe r  2 015, pp. 553  ~ 558   DOI: 10.115 9 1 /telkomni ka. v 16i3.898 5        553     Re cei v ed Se ptem ber 8, 2015; Re vi sed  No vem ber 1 0 ,  2015; Accep t ed No vem b e r  28, 2015   An Optimized Resonant-cap Ka-band IMPATT Oscillator  for Broadband Communication      L.P. Mishra 1 , M.N. Mohan t y * 2 , S.  Chakraborty 3 , M.  Mitra 4      1,2 Dept. of ECE, SOA Universi t y , Bhub an es w a r, India   3 Dept. of ECE,  MCKV Institute of  Engine eri n g ,  Ho w r ah, Indi a   4 Dept. of ENT C , IIEST , Shibpur, W e st Bengal, Indi a   *Corres p o ndi n g  author, e-ma i l : mihirmoh ant y@soa univ e rsit y.ac.i n       A b st r a ct   De ma nd for   capac ity an d  ba ndw idth  i n creas ing   da y-by-day in  t he area   of w i reless   communic a tio n .  One of the soluti ons is th e  utili z a ti on  of frequ ency b a n d s  for broa dba n d  co mmun icati o n   that is re lated  to satel lite c o mmu n ic at ion. M o stly Ka-ba nd  is  used  in s a te l lit e co mmu n icati on. In this  pa p e r,  an atte mpt is taken to d e si gn  an opti m i z e d  r e son ant-c a p  Ka-ba nd osc ill ator. To obtain  o scillati on fro m   Ka - ban d IMPAT T   devic e, it has been e m be dde d  in a reson ant  cavity for w h ich reson ant cap  structure is used .   F r om this stu d y , it is found t hat  the su pp ly  D.C voltag e f r om th e t op of  the  di ode pro v ides a  matchi ng   netw o rk betw een the di ode a nd the lo ad to achi eve maxi mum p o w e r. Keepi ng the bre a k dow n voltag e  of   the IMPAT T  di ode  fixe d, the   variati on  of b i a s  curre nt  h e lps  for d e tai l ed  st udy  an d  mec h anic a lly  tun i ng   has   bee n do ne w i th  a variati on  of cap h e ig ht, Cap  dia m eter  as w e ll as by v a ryin g  the  pos ition  of the short us ing   slidi ng sh ort tuner an d verifi e d  exper i m e n tal l y. Opti mi z a t i o n  result is  ma de  to  get maxi mu m output  w i t h   max i mu m effici ency for a n  op timi z e d ca p h e i ght, di a m et er,  and  positi on  of slidi ng s hort tuner. W i th the s e   facts the w o rk i s  presente d  dif f erence tun i n g   meth ods for th e reson ant cap  IMPAT T oscill ator .     Ke y w ords : re sona nt cap  IMPATT oscillat o r, Ka-ba nd IM PA TT oscillat o r, mec h a n ica l  t uni ng  of IMPATT,  slidi ng sh ort tuner         Copy right  ©  2015 In stitu t e o f  Ad van ced  En g i n eerin g and  Scien ce. All  rig h t s reser ve d .       1. Introduc tion  Wirel e ss and satellite com m unications  are  r apidly growing industries  which are slated  for  explo s ive gro w th  in em ergin g  cou n tri e s  a s   well as cou n trie s with   advan ced   e c onomie s.  F r om  the ra dio to  satellite TV, the Intern et to cellul a r  com m unication, p eople  are  co mmuni cating  more   now than  eve r  b e fore. A n d  it is  preci s ely  this  co mmun i cation  that i s  ca usi ng  exp onential  growth   in scie nce a nd te chn o log y  stand ard  o f  living and   eco nomi c  p o w er.  Thi s  fa ct alone  is  what  sep a rate s th e first wo rld  from the developi n g . The re se arch in the area of wirel e ss  comm uni cati on h a s be e n  prog re ss i n  many  way s . Autho r s h a ve be en  worki ng  on  M I MO   techni que s f o r effi cient  communi catio n . Similarly t he mo bile  eq uipment l o ca tion an d velo city  have been a nalyze d  for the sam e . Ne verthele ss th e hand off has bee n left for efficient a n d   seaml e ss  se rvice by many  resea r chers  [1-4]. But the domina n t tre nd in wi rel e ss comm uni cati on   system s i s  to wards broad b and a ppli c ati ons  su ch   a s   multimedia fil e  tran sfer, vi deo tran smission  and  Inte rnet acce ss. The s e  ap plic ations req u ire mu ch hig her dat a  tran smi ssi on  rate s th an th ose   curre n tly use d  for voice  transmissio n  appli c at io ns. To a c hi eve the s e  hig her data  rat e s,  sub s tantially l a rge r  b and wi dths a nd hi g her  ca rri e r  fre quen cie s  a r e  req u ire d . A key roadbl ock to  impleme n ting  these sy ste m s at K - ba nd  (18 - 26. 5 G H z)  and  Ka-ba nd (26.5 - 40  GHz) i s  th e n eed  to develop h a rd wa re whi c h meets the requi rem ent s for high data rate tran smissi on in a co st  effective man ner.   IMPATT (IMPact Avalanche ioni zation  Tran sit Tim e ) diod e is  a PN Ju ncti on diod e  operates  at reverse bia s   to brea k do wn an d  can  gene rate RF power, wh en it is prop erly  embed ded i n   a re son ant ca vity.  In cou r se of re se a r ch  different  stru cture s  of IMP A TT diode s a r e  being devel o ped by different scie n tists using di fferent semi con ducto r materi als. The s e d a ys  IMPATT diode can op erat e up to a frequen cy of 450 GHZ. Thu s , it is coverin g  micro w ave,   millimeter wa ve,  sub - milli meter wave range   of  fre q u enci e s. Be ca use  of the  availability of th ese   HF ra nge s, IMPATT diod e day-by-day  beco m ing ve ry  importa nt in the field of different type  o f   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                             ISSN: 23 02-4 046                     TELKOM NI KA  Vol. 16, No. 3, Dece mb er 201 5 :  553 – 558   554 comm uni cati ons mentio ne d  above   and  also be comi n g  a  strategi c  device fo r the  use  of defe n s e  peopl e.  By mean s of  different  me thods of tuni ng  IMPATT  diode s  ca n b e  turned  ove r  a  wi de   freque ncy  ra nge. In ou r p r oblem the  IMPATT diode  had the  optim um freq uen cy  of 36 G H Z  (Ka- band ), but th ese  diod es can give  a rea s on able  amo unt of po we r f r om a  freq ue ncy rang e of  34 to  37 GHZ and  can offer m any sub - ba n d s un der Ka -band for  different types of  commu nication.  Thoug h he re  the autho rs h a ve indige no usly devel o p ed the re so n ant cavity with a po st and  cap  stru cture, but the suitab ility of this method is co mpa r ed at t he end  with other m e thod s of tuning   su ch a s  varying bia s  cu rre n t, position of  sliding  sho r t tuner et c.    The re so nant  cap IMPATT  oscillator  wa s first re p o rted  by Lee [5] for the millimeter wave   band  an o w i ng to thei r simplicity of constructi o n  a nd go od p e rf orma nce in  microwave a nd  millimeter  wa ve freque ncy  band s ma de i t  very attracti ve. A wide va riation of me chani cal tunin g   by varying  th e sli d ing  sho r t tune r fo r  a  re so nant ca p  IMPATT was ob se rved by  Misawa  a nd  Kenyon [6] for low fre q u ency IMPATT diode s.  In 1972 Grove s  and Le wi s [7] vary  various  stru ctural pa rameters of th e re son ant cap to  obtai n  maximum po wer  output at  low fre que n c y.  Mallik  et.al  [8 ] in 1 983  de ri ved an  em piri cal fo rmul a  u s ing  thei r exp e rime ntal d a ta related  to  cap  diamete r  and  the oscillati on frequ en cy. Compute r  aided de sig n  and analysi s  of broa dba nd   comm uni cati on pe rformed  by autho rs [ 9 -10]. Al so, the IMPATT o scill ator h a s  been  utilize d   for   the same a n d  used fo r Ka band [11 - 14]       2. Design    Dema nd s on wirel e ss com m unication s have moti vated the develo p ment of RF front-end   circuits toward tens of gigahertz  to achi eve high-data-rate transm i s sion.  Ka band oscillators  are  esp e ci ally de sign ed fo r lo w  co st comm erci al a ppl i c a t ions.  T he explosi on of  cel l ular pho ne s and   the Intern et  follows the  next larg e communi catio n s te chn o log y , broad ban d co mmuni cation   resea r ch for large a m ou nt of band width  that  translate s to large a m ount of inform ation.   In this  pie c e  of wo rk,  it ha s b een  tried  for the  de sig n   of Re so nant  cap  IMPATT  Oscillato r  for Ka Band  operation. It can be  useful i n  sate llite  bro adba nd  com m unication fu rther it h a s  b een  optimize d   usi ng m e chani cal tunin g . Au thors h a ve u s ed  a  re so n ant cap  cavity in  whi c h t he  device i s  pla c ed between t he bottom b r oad wall of a  millimeter  wa ve guide a nd  the bottom fa ce   of a circula r   metal disc in  the resona nt cap,  a s  sh o w n in Fig u re  1. A consta nt current po wer  sup p ly is u s ed a s  a bia s  throug h the  post an d  th e disc st ru cture of the  re son ant cap. The  purp o se is to  study the eff e ct of the  ca p diam ete r  a nd cap h e igh t  of a resona nt cap IMPA TT  oscillator  and  the effect of  plane  of the short  o n  the o scill ation fre q uen cy and  po wer output. T h e   output power can be opti m ized  wh en  the device-circuit interactio n will take pl ace. The basic   theory of the desi gn is expl ained a s  follo ws.       Figure 1.   Sch e matic representation of Ka band IMPATT Oscillato r       The resona nt cap  co nsi s ts  of disc-p ost  structu r e  with  a flat disc in t he H  plan e. The di sc  and bottom  broa d wall o f  the waveg u ide form s a  radial line  cavity around  the diode. The  gene rated  mi cro w ave  po wer p r op agate s  in the  ra dial  dire ction of t he di sc, a nd i s  getting  co u p led   to the waveg u ide thro ugh  the open vert ical ed ge s of  the radial  cav i ty. The disc  of the resona nt  cap a c ts a s  an imped an ce transfo rme r  and help s  to match the impeda nces  betwe en the low  impeda nce di ode a nd the  high imp eda n c e  wavegui d e  so th at ma ximum gene rated RF  ene rg y  can b e  tran sferred to the load.   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
TELKOM NIKA   ISSN:  2302-4 046     An Optim i zed  Resona nt-ca p  Ka-ba nd IMPATT Oscill ator for Bro adb and… (L.P. Mish ra)  555 These p o st  a nd di sc st ru ctur e  also p r ovi des a lo w  pa ss   type  filter to byp a ss th e rip p le  pre s ent in  the  power  sup p l y . The re son ant cavity is   such th at it ca n be al so  use d  as  an exte rnal  heat sin k  for t he IMPATT diode.   Whe n  dire ct  curre n t (DC) bias is a ppli ed to  the inp u t terminal s of the oscill a t or, AC   energy is  produ ced  at the outp u t termin als.  A C  si gnal  an d ra dio fre q uen cy (RF)  are   synonymo us,  in the simpl e st term s. Also a n  os cillat o r can b e  de fined as  a DC to RF  ene rgy   conve r ter.   The total current is comp ose d  of con ductio n  cu rre nt and displ a ceme nt cu rre nt only  becau se the  diffusion  cu rre nt is n egli g ibly sma ll.  The total current de nsity  is given  by the  expre ssi on.     I total   =  q  ( n ,  v gn  +  p, v gp ) +  ∈      The  sp atial  variation  of  electri c  field  in th e  spa c e  ch arge l a yer i s  o b tain ed from  Poisson’ s eq uation a s :       =   [   + (p -n )]    Whe r e:   E = electri c  field,   q = ele c troni c charge,   N D = ioni ze d d onor d e n s ity,    N A = ioni ze d a c ceptor d e n s i t y,  p = hole d e n s ity,    n = ele c tron d ensity,   = permittivity of the semicondu ctor.     The device n egative re sist ance and rea c ta n c e are ob tained from th e followin g :    Z R  =  Xdx .  C o nd uc ta nc e G  =   R 22 RX Z ZZ   Susceptan ce  B = -  x 22 RX Z ZZ     With el ect r o m agneti c   rad i ation effe cts mu ch m o re  su btle at K a -ba nd f r eq u enci e s,  and   with   greate r   su sce p tibility to parasitic effect s  and l o sse s ,  si gnifica ntly greater a ttentio n is given  in t he  techni que, pa rticula r ly at high power lev e ls. The  expe rimental setu p, and its result are explai ned  in the followin g  se ction 3.       3. Experimental Setup a nd Res u lts    This  work is going to prese n t differe nt  tuning me thods fo r re son ant ca p IMPATT  Oscillator.  But the study of  an  am plitude control  and stability i s   a different  aspec t and thus  no t  con s id ere d  h e re. T he  exp e rime ntal a r rangem ent  fo r  the study  of reso nant ca p Ka-ba nd  IMP A TT   oscillator i s  as shown in Figure 2.     Indigen ou sly develop ed Ka -ban d SDR I M PATT di od e  is u s ed. T he  diode  oscillat e s ove r   a ra nge  of 34  to 38  GHz  with a brea kdo w n voltag e of  45v.  A maxi mum po we r o u tput of 90  m w   for a m a ximum d c  bia s   curre n t of 1 40mA for  occurre n ce of t he o scill ation .  A variation  of  oscillation fre quen cy and p o we r output d ue to the vari ation of dc bi as current is  sho w n in Fig u re   3. In the g r a ph the  po we r outp u t increases  non -lin early  with d c  bias current  and  rea c h e s  a  maximum value and then  starts to fall gradu a lly but the freque ncy increa se s more or le ss  linearly. It i s   becau se i n  th e G - B  slot of   Figure 4   whe r e th e  circuit l o cu s ta ke s a  turn. Th erefore,  the negative  con d u c tan c e  corre s p ondin g  to the  poin t  of interse c ti on between t he active a n d   passive characteri stics de cre a se s afte r rea c hin g  a m a ximum.  Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                             ISSN: 23 02-4 046                     TELKOM NI KA  Vol. 16, No. 3, Dece mb er 201 5 :  553 – 558   556     Figure 2. Experime n tal arrangem ent of re sona nt cap  Ka-ba nd IMPATT oscillator             Figure 3. Plot of oscillatio n  freque ncy an d  power outp u t vs DC bi as  current   Figure 4. G-B  plot of Si- IMPATT for different  dc bia s  curre n t density       The  di men s io n  of  the re so nant cap ha s a  ma jo r  im pa ct  on output power and   freque ncy.  As [8], the relation betwee n  freque ncy a nd ca p dimen s ion i s  depi ct ed as:      f =C/  =  .      Whe r e  D is th e diamete r  of the re son ant cap a nd L i s  the heig h t of the re so nant cap. It has bee n  experie nced  with the varia t ion of the cap heigh t, kee p ing the ca p diamete r  con s tant and vice- ver s a.   IMPATT diod e always o p e rate s at reverse bia s  to  brea k d o wn . As the bre a kd own   voltage i s  fi xed, it sh ows  with va ryin g the  bia s   current  so th at the tuni n g  is do ne.  This  experim ental  result is sh own in Table 1 ( a )  and 1 ( b)  re spectively.        Table 1 ( a). V a riation of out put power an d freque ncy  with ca p heig h t for a cap di ameter of  (D ) = 2.7mm   Cap Height ( mm)   Output Po wer  (m W)  Freque nc y  ( G Hz)   1 53.1  39.48   1.1 60.24   35.52   1.2 66.95   34.61   1.3 73.9  33.75   1.4 82.25   32.92   1.5 85.01   32.14   1.6 89.01   31.4  1.7 87.25   30.68   1.8 85.29   30  1.9 79.79   29.34   2 73.01   28.72   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
TELKOM NIKA   ISSN:  2302-4 046     An Optim i zed  Resona nt-ca p  Ka-ba nd IMPATT Oscill ator for Bro adb and… (L.P. Mish ra)  557 Table 1 ( b). V a riation of out put power an d freque nc y  with ca p diam eter for a cap  height = 1m m  Cap Diameter (D ) (mm)  Output Po wer  (m W)  Freque nc y  (GHz)  2.1 32.01   43.54   2.3 42.34   40.91   2.5 60.67   34.57   2.7 74.85   36.49   2.9 84.85   34.61   3.1 87.41   32.93   3.3 77.25   31.4  3.5 59.15   30  3.7 43.14   28.72   3.9 32.22   27.55   4.1 24.12   26.47       3.1. Mechani cal Tuning   As mention e d  that the paper deali ng wit h  opt imal tuni ng of IMPATT diode to ge t an idea  about the be st method for tunning so that a diode  can ope rate o v er a wide ra nge. Variatio n of  oscillation f r e quen cy of th e o scillato r  b y  varying  me cha n ical pa ra meters of th e  re son ant  ca vity,   su ch  a s  ca p height, cap di ameter  and   the  po sition   of  the sli d ing  short tun e r i s   called m e chan ical  tuning. The d epen den ce o f  the oscillati on frequ en cy on the cap height and  cap diamete r  wa s  investigate d   and  presente d  the  Tabl e 1 ( a) an d  (b).  It is ob se rved  that the  oscill ation frequ e n c y  decrea s e s  wi th the i n crea se  of  cap  dia m eter  and  ca p hei ght a s  p e r th e  relatio n . “(D+L ) /  =K”   given by  Gro v es a n d  Le wi s a n d  Malli k  et.al  wh ere  ‘K ’  is a  con s t ant an d e qua l to 0.4 5  a nd   is   the ope rating  wavelen g th ‘ D ’ is the  ca p diamete r  and  ‘ ’ is the p o st length. The  above form ul a  tells that for  a parti cula r v a lue of ‘ D ’ a nd ‘ L ’ the  co rre sp ondi ng f r equ en cy wh en eq ual to t h e  optimum de si gn frequ en cy of the diode  then the po we r output is ma ximum.   In the first m e thod of tuni ng a vari atio n of  bia s  current from a  ra nge of 5 0  to  160 mA  results a va riation in the freque ncy ran ge of 34 to  3 8  GHz. Again  by varying the ca p heig h t  or   cap  diamete r  a freq uen cy  variation  of 28 G H z to  4 0  GHz i s  po ssi ble. On th e othe r ha nd  a  freque ncy va riation  of 34   to 37  GHz i s  po ssi ble fo r  a variatio n of  the p o sitio n   of slidi ng  sh o r t  tuner  3 to 8   mm ra nge. B u t from the  d i ode a  maxi mum po we r  output of a b o u t 85 m W  o n  an   averag e is ob tained in all the  method s a nd at a distan ce of  λ /2 fro m  the positio n of sliding short  tuner.   The va riation  of p o wer  an d fre que ncy  due to  vari a b le p o sitio n   of slid e  soft  tuner is  plotted in Fig u re 7. Fo r a cavity resonat or  the freq ue ncy of oscillat i on is given b y :     f =  C/2        Whe r e ‘a’ is t he bro ad pla n e  dimen s ion,  ‘b’ is the narrow pla ne dim ensi o n and ‘d ’ is the length  o f   the recta ngul ar  cavity re so nator.  No w v a riation  of  th e po sition  of  slidin g  sho r t t uner represe n ts  the variation  of the length  of t he cavity and thu s  re son a nt freq u ency is va rying. The g r ap h of  Figure 5 is sh owin g the po wer at differe nt reso nant  a nd anti re son ant con d ition  of the cavity.  The o u tput  spectrum  of th e re so nant  cap Ka -ba nd I M PATT o scill ator  wa s inve stigated  by using a  sp ectru m  analy z er a nd the resultin g phot ogra ph is  sho w n in Figu re  6.        Figure 5. Vari ation of outpu t power a nd freque nc y with  positio n of the slidin g sh ort tuner  Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                             ISSN: 23 02-4 046                     TELKOM NI KA  Vol. 16, No. 3, Dece mb er 201 5 :  553 – 558   558     Figure 6. Output spe c tru m  of reso nant cap Ka-b and I M PATT oscill ator        4. Conclusio n   Earlier works we re  relate d  to tunnin g  of  IMPATT oscillator at X - ba nd, but o u r p aper is  for Ka band  Oscillation. In this  paper three different   methods of tuning of a K a -band IMPA TT   oscillator are described. Out of  these three methods variation of  cap diameter or cap height  gives a wid e  range for tu ning of about  12 GHz b u t in the other two metho d s,  which a r e very  easy but giv e s a fre que n c y ran ge of variation of  o n ly 3 GHz. Thus thi s  pap er give s a cl ear  insight to the designer  and user  of Ka-band IMPAT T oscillator.  A coherent  study of tuning   prop ertie s   of  resona nt  cap  IMPATT o s cillator at  Ka-b and  ha s b e e n  carried  out  by me ch ani cal   and ele c troni c mea n s. It is expe riment ally obs e r ved  that output power of IM PATT oscillat o r  passe s th rou gh a  maximu m, with a n  o p timum  com b ination  of cap di amete r   and  ca p hei g h t.  Thus after  co mpari s o n , it i s  b e ing  foun d  that th e  met hod  of tunin g   by variation  o f  cap  hei ght  a n d   cap di amete r  sho w s the effective re sult.      Referen ces   [1]  Mihir N Mo han t y , Mona lisa B hol, La xm i Pra s ad Mishr a , Sanjat Kumar Mis h ra. Desi gn a n d  Anal ys is o f   Mimo S y stem  for UWB  Communic a tion.  Internati o n a l  Jour nal  of  W i reless  & M obil e   Netw ork s   (IJWMN).  2014;   6(2): 101-10 9 .     [2]  Mihir N a ra ya n  Moha nt y .  Perf ormanc e Ana l ysis  of MIMO  Wirelss S y st em  w i t h  Array   Antenna.  ARP N   Journ a l of Eng i neer ing a nd Ap plie d Scie nces.  2013; 8(1 0 ): 8 06-8 10.   [3]  Mihir N a ra ya n  Moha nt y ,   La xmi Prasa d  Mis h ra, Saum en dr a Kumar M o h a n t y . D e sig n  of  MIMO Space- T i me Code for High D a ta Rat e  W i reless C o mmunicati on.  IJCSE . 2011; 3( 2): 693-6 97.    [4]  S Band opa dh a y a, LP Mis h ra,  D S w a i n, Mihir  N Moha nt y .  D e sign of DF E Ba sed MIMO Communicati on   S y stem for Mobil e  Movi ng  w i t h  Hig h Vel o cit y .  Intern ati ona l Journ a l  of Computer  Scienc e an d   Information T e chno log i es.  20 14; 1(5): 31 9-3 23.   [5]  CA L ee,  L B a l dorf, W  W e ig h m an, G Kam i n s k y . T e chno lo gical  d e ve lopm ent ev olvi ng  from R e searc h   on Re ad Di od e .   IEEE  Trans. On Electron Devices.  19 66;   3 :  75-180.   [6]  T  Mis w a,  ND  Ken y o n . An  Oscillator  C i rcuit   w i th  CAP str u cture for  mil l i m eter  w a ve I M PATT  diode .   IEEE Trans. On Microw ave Theory & Tech.  197 0; 18: 969.   [7]  IS Groves, DE  Levis. Res ona nt Cap structur e for IMPAT T  diod es.  Electron. Lett. ( G.B).  1 972;    8: 98.   [8]  KK Mall ik, M Sridh a ran, SK  Ro y .  Some s t udies  on th e  effect of Reso nant-ca p  o n  the osc ill at o r   performa nce of  x-ba nd Gats a nd Si IMPAT T   oscill ators.  JIETE.  1983; 29: 215.   [9]  Subal Kar, S  Bhanja, S Sas m al.  Co mputer -ana lytical  Ch a r acteri z a ti on of  Reso nant-c ap  Circuit fo r   Microw ave Oscillators  an d P o w e r Co mb ine r s . Progress In  Electroma gne tics Rese arch  S y mp osi u m .   Pragu e, Czech  Repu blic. 2 0 0 7 : 27-30.   [10] Suba l  Kar.  Co mp uter-a ide d   Desig n   an d C h aracteri z a t i on   of a Br oa d-ba n d  Mil l i m et er-w ave So urce  at   34GH z . Pr ogre ss in Electrom agn etics Rese arch S y m pos iu m. Prague, Cz ech Re pu blic. 200 7: 27-3 0 .  [11]  T apas Kumar  Pal, JP Ba ner j ee. Stu d y  of  Efficienc y  of Ka-b a nd IMPA T T  Diodes  an d Oscill ato r s   arou nd Optimiz ed con d iti on.  Internatio nal J o u r nal of Adva nc ed Scie nce a n d  T e chno lo gy.  201 1; 26.   [12]  T apas Kumar   Pal, JV Pr asa d ,  JP  Ban e rj ee.  Stud y of  Vari o u s T uning  pr op erties  and  Inj e ction  Locki ng   of Reso na nt-ca p  IMPATT Oscillator.  Inter nati ona l Jour na l of  Engi neer in g a nd T e ch nol ogy .  2010.   2( 5):   329- 335.   [13]  Mani dip a  N a th.  Desi gn  a nd  C haracte r i zatio n  of Micr ostrip I M PATT   Oscilla tor.  Internatio n a l J ourn a l  of  Advanc ed R e s earch i n  Co mp uter and C o mmu n ic ation En gin eeri ng.  20 1 3 ; 2(11).   [14]  Han-Y oun g L e e , W an-Sik Ki m.  T he MMIC VCO Desig n  fo r W i reless S y stems at Ka-Ba n d .  Journ a l of   Electrical E ngi neer ing & T e ch nol ogy.  20 10; 5(1): 151- 15 5.      Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.