Indonesi an  Journa l  of El ect ri cal Engineer ing  an d  Comp ut er  Scie nce   Vo l.   23 ,  No.   1 ,   Ju ly   2021 , p p.  3 30 ~ 3 37   IS S N: 25 02 - 4752,  DOI: 10 .11 591/ijeecs .v 23 .i 1 . pp 3 30 - 3 37          330       Journ al h om e page :  http: // ij eecs.i aesc or e.c om   Des i gn o f high po wer amp lifier b ased on  wil kin son power  co mb ine r for wi reless  comm un icat ions       Tr an   Van  Ho i 1 ,  N go Thi L anh 2   1 Facul t y   of Elect ric a l  and   E lectr o nic   Engi ne eri ng ,   Thu y lo i  Unive r sit y ,   Vi et Nam   2 Facul t y   of  Infor m at ion  T ec hnolo g y ,   Univer si t y   of   Tra nsport   T ec h nolog y ,   Vi et Na m       Art ic le  In f o     ABSTR A CT   Art ic le  history:   Re cei ved   Oct  27, 202 0   Re vised Ju n   7 ,   2021   Accepte d  J un  1 5 , 202 1       Thi s  art i cl e  pr ese nts  the   design  and  fab ricat ion  of  a  high  power  amplifi e r   base d  on  wi lki nson  power  combiner .   A  45W  basic   amplifi er   m odule   is  designe d  using  la te r al l y - d iffuse d   m et al - oxide   se m ic onduct or  ( L DM OS )   fie ld  eff ect  tr ansistor  ( FET )   PTF A260451E  tr an sistor.  W il kinson  power  combine r   is  used  to   combine  two  input  powers  to  p ro duce   90W   of   power.   Th e   proposed  power  amplifi er  is  rese arc h ed,   d esi gned  and  opt i m iz ed  using   adva nc ed  d esign   s y stem   (AD S)  software .   Exp erim ent al   r esult s  s how  tha t   the  gai n  is  11. 5   dB   gre ater  th an  at  2 . 45 - 3. 0   GH z  fr e quency   band   an d  ac hi evi ng  m axi m um   po wer  gai n  of  13. 5   dB  at   2. 65   GH z  ce n tre   fr equenc y ;  outpu t   power  inc re ase d   to  49. 3   dBm ;  P ower  adde d  ef fic i ency   of  62. 1 %  and  good  impedanc es  m at chi ng:  inpu t  ref lecti on  co eff i ci en t  (S 11 )< - 10   dB,   outpu t   ref lecti on  coe ff i ci en t  (S 22 )< - 15   dB.   The   design e d  amplifi er  c an  be  used  for  4G,  5G m obil e   c om m unic at ions  and  S - band  s at e l li te c om m unic a tion.   Ke yw or ds:   LDMO S F E T t ran sist or   Power a m plifier   Power c om bine r   W i reless c omm un ic at ion s   W il kin s on  pow er  div ide r   This   is an  open   acc ess arti cl e   un der  the  CC  B Y - SA   l ic ense .     Corres pond in g  Aut h or :   Tran Va n H oi   Faculty  of Elec tric al  an d El ect ronic E ng i neeri ng   Th uyloi U niv e rsity   175 Tay  S on  Road , Do ng  Da Dist , Ha N oi,   Viet  N am   Em a il : ho it v@t lu.edu. vn       1.   INTROD U CTION   Power  am plifi er  ( PA)  is  a n  i nd is pe ns able  c om po ne nt  in  ra dio   c omm un ic at ion   syst em s,  especial ly   in   la rg e  dista nce  com m un ic at ion   syst em s  su c h  as  sat el li te s,  m ob il e  com mu nicat io n.   P A  is  the  m os t  i m portant  blo c k  that  am plifie s  the  RF   sign al   to  po w er  the  ante nn a   and   prov i des  the  highest  po ssible  gain  with  the  lowest  possi ble  ref le ct ance .  Ther e  ha ve  be en  m any  stud ie s  on   desi gn i ng   and   m anufactu rin g  powe r  am plifie r s   perform ed  in  diff e re nt  f re qu ency  ba nds  [ 1 ] - [ 25 ]   a nd   s olv i ng   iss ues  s uc h  as:   increase  powe r  a nd   e ff ic ie ncy  [3 ] ,  [ 6 ] - [8 ] ,  [12],  [ 16 ] ,  i ncr e ase  ci rcu it   ba ndwi dth   a nd   re du ce  i nterm odulati on   distor ti on   [ 1],  [5 ] ,  [9 ] - [ 11] ,   [13 ] - [ 15] , [1 7 ] - [ 25 ] .   Re centl y,  dif fe ren t  a ppr oach e s  to  desig n  hig h  po wer   a nd   wide ba nd   PAs  ha ve  been  stud ye d  a nd   pro po se d  a rou nd the  w or ld . One  of the  m os t used resea rc h direct io ns  is t o rely  on m ulti - sta ge  po wer  am plifie r  ci rcu it   [ 5],  [ 8],   [16].  Howe ve r,   this  m et ho d  has  lo w  reli abl il ity,  because   wh e n  one  of  t he  power   am plifie r s   fail s,  the  syst em   will  no t  functi on.  Othe r  researc h  direct ion s  are  re sear ched   a nd   s ugge ste d,   in  w hic h  the  desig ns  a re  bas ed on pa rall el  p owe r  am plifie r  wit h power  d i vid e r/com bin er  [5], [ 10] , [1 7].   Ther e f or e,  t his  pap e r  fo c us es   on   inc reasin g  the   power   of  an  a m plifie r  us in g  a  wilkin so n  pow e r   div ide r /c om bine r  with   a  wi de   fr e quency  ba nd.  T o  do   t his,  tw o  narr owba nd  lo w - po wer   am plifie rs   are   desig ne d  a nd  then   com bin e d  us in g  t he  powe r  c om bin er.  Fig ur e   1  s hows   the   bl ock  dia gr am   of  powe r  a m plifie r.     Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Desig n of  high  po we r  am plif ier  base d on wi lk inson  powe r c ombi n er f or   wi r el ess …   ( Tra n  Va n Ho i)   331   In  t h is case , t he  artic le  u se a  1:2   wi lkins on  powe r  di vid e r ( WPD)  a nd  a  2: 1  com bin er.  T o  gua ran te e a   90W  am plifie r   outp ut  po wer,   A  45 W  ba sic   a m plifie r  m od ule  is  desig ne d  us i ng  LDM O S  FET   PT FA2 60451E  transisto r.   To  achieve  m axi m u m   po wer   outp ut,  the  am p li fier  inp u t  val ue  m us t  reach  33dBm ,  so   th e  sign al   befor e  the  div i der is 3 6dBm , th is i s achie ve d by the  pre - a m pl ifie rs.           Figure  1 .  Bl oc k  diag ram   of  th e pro posed  P A       2.   DESIG N A N D  SI M ULATI ON   2.1.      Desig n  of Wil kins on   p ower divider/ c omb iner   A   po wer   div i de rs  is  a  de vice   us e d  to  div i de   input  po wer   into  m ulti ple  ou tp ut  powe r  a ccordin g  to   desig n  re quire m ents  and   power   c om bin er  are  us e d  to  c om bin e  m ult iple  input  powe rs   into  outp ut  po wer.  I n  pr act ic e  the  de sign e r  can  use   m any  diff er ent  ty pes  of  di vi der s  s uc h  a s  directi onal   couplers ,  T - junc ti on   sp li tt ers  and   W il kin s on  sp li tt ers.   The  T - ju nction  powe r  di vid er  is  the  sim plest   on e,  it   i s  a  three - po rt  netw ork   with  one  in pu t   and   tw o  outp uts.   H oweve r,   disad va ntages  of   this  ci rc uit  is  the  poor  isolat ion   bet we en  ou t pu t   ports.  To   so l ve   this  prob le m ,  a  wilkin son  po wer  sp li tt er  ( WPD)   will   be   us e d  in   this  a rtic le .  In  the  wi nk i nson  powe r  div id er  the  sh unt  resist or   inse rted  bet ween   the  ou t put  ports  will   create   a  hig h  iso la ti on   abili ty .  Sing le   sect ion   WPD i s sho wn in  Fig ur e  2 [ 4] .     The  2 - way  Wilkins on  powe r  div ide r  us es   a  qu a rter   wa vele ng t h  (λ/4 )  li ne   to  c oord i nate  t he  i nput  Z o  i m ped ance  with the 2*Z o  im ped a nce c onne ct ing  the tw o  outp uts.  T hen  th e i m ped ance of  the seg m ent λ/ 4  will   be  Z /4   =  √ 2   *  Z 0 .  T his  di vid er   achieves   narrow  ba nd.  I n  ord er  t o  ac hieve   wide band   di vi der /c om bin er,   this   pap e r  pro po s e s  a  m ulti - sect i on  im ped ance  m at ching   m et ho d  with   λ/4  se gm ents  at   the  2.65G Hz  f re quency  center.   N um ber   of  sect io ns  is  ch oo se n  2  a nd   Z 0 = 50  ,  an d  Z L = 100  Ω.  Ta ble  1  sho ws  th e  cal culat ion   r esults   of the im ped an ce cha racteri sti cs of the   WPD.   The  WPD  us e s  a  s ub trat e  F R4  1.5m m   heigh t  with  a   diel ect ric  substrat e   of  4.3 4  a nd  a   thick ness  of  0.035m m ,  the  l eng t h  an d  widt h  of   t he  m ic ro s trip  li ne  is  cal c ulate d  by  li nca lc   too l  in  Adva nce  Desi gn   Sy stem  so ft war e ,  the  s chem at ic  diagra m   of   pro po se d  W P D  is  sho wn   in  Fig ur e  3  and   sim ulati on   res ults  is  show n  in  Figure  4 .  F r om   the  Figu re  4,   it   can  be  figure d  ou t  that   the  transm issio n  c oeffici ent  is  go od  at   - 3.3 dB,  the   forw a r d  ref le ct ion   S 11   is  le ss  than  - 25dB  a nd  the  at te nuat ion   c oeffici ent  is  le ss  than  - 19. 0d B  on   t he  2G Hz  to   3GHz  ba nd.           (a)   (b)     Figure  2 .  Th e s e figure s ar e;   ( a)   w il kin s on pow e r de vid er  in  m ic ro - trip  fo rm ,  (b)   e quival ent tra ns m issi o n  li ne  ci rcu it       Table  1.   C har a ct eri sti cs  i m ped ance s  of   WPD   No  of  sectio n   Zo   Z 1   Z 2   Two   50    8 4 .09     5 9 .46       Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vo l.   23 , N o.   1 ,  Ju ly   2021 :  3 3 0   -   3 3 7   332       Figure  3 .  Sc he m at ic  d ia gr am   of m ulti - sect io n WDP         Figure  4 .  Th e  s i m ulate d  res ults o f WP D       2.2 .     Desig n   of p ower  amp li fier   To  desig n  45 W  powe r  am plifie r,   the  arti cl e  sel ect s  appr opriat e  tra ns ist or   t hat  is  P TF A26 0451E   transisto r  pro vi ded   by  infi neon  Tech nolo gie s.  It  is  a  therm al ly - enh a nced   high  po wer   L DMOS   FET  tr ansisto r   with  45 W  out pu t  pow er  an d  opera te   at   2.6 5   GH z   ce nter  fr e qu e ncy.   To   desi gn  a  pow er  am plifie r  is  do ne   thr ough the  foll ow in g st eps:   Firstl y,  transist or   m us t  be  che ck  f or   sta bili ty  us in g  the  s - pa ram et er  of   the  transisto r.   T he   a m plifie r  m us t  be  sta blilized  within  th e   require d  fr e qu ency  range .  O ne  of  the  sta nd ard s  us e d  to  de te rm ine  sta bili ty   of   PA  is t o use  pa ram et ers  K  an d Δ   [4 ] :       = 1 − | 11 | 2 −   | 22 | 2 + | 11 22 − 12 21 | 2 2 | 12 21 |   ( 1 )     ∆   = 11 22 − 12 21     (2)     A  P A o per at es  un c onditi onal ly  stable i f   K>1 an d  | |< 1.   Seco nd ly , Bas ed  on the scatt erin g  par am et e r  of  the tra ns ist or  to  desi gn  a input and o ut put im ped ance   m at ching   of  t he  tra ns ist or   with  the  s ourc e  and   l oad   im ped a nce.  The r e  are  m any  m et hods   of   desi gn i ng  i m ped ance  m at ching  suc h  a s   us in g  l um ped   el e m ents;  m i cro tri p  li ne  s uc h  as  sin gle - st ub  or  double - stub.   Howe ver,  thes e  m e tho ds  give   na rrow  im ped ance   m at ching .  I n  order  to  achieve   hi gh  powe r  with  w id eba nd   i m ped ance   m a tc hin g  a nd  sta bili ty ,  this  des ign  pro poses  us in g  t he  m ulti - sect ion  tran s form ers.   The   PA   is   desig ne d  at   2. 65   G Hz  center  f reque ncy.  The  PA   co ns ist s  of  input  i m ped an ce  m at ching ,  outp ut  m at ching,  an d  DC  biasi ng   is  s how n  in  Fig ur e   5.   DC  powe r   is  supp li e d  acr oss  quarte r - wavel eng th   tra ns m issi on   li ne  so   a s  no t   to inter fer e  w it h  the  A C  sig na ls.   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Desig n of  high  po we r  am plif ier  base d on wi lk inson  powe r c ombi n er f or   wi r el ess …   ( Tra n  Va n Ho i)   333       Figure  5 .  Sc he m at ic  d ia gr am   of PA       The  PA  al so  us es  t he  s ubtr at e  FR4  with   a  hei gh t  of  1.5m m ,  diele ct ri c  substrat e  of   4.3 4  a nd  a  thickne ss  of  0.0 35 m m .  To  si m ulate   a m pl ifie r  ci rcu it   in  sm a ll   s ign al   m od e,  the  ci rcu it   us es  scat te rin g  par am et ers  with  sim ulate d  f r equ e ncy  range   from   2.2  t o  3.2  G Hz.  Fig ure  6  sho ws  t he  resu lt s  of  sim ulati on  par am et ers  scat te ring   of  the  pro po se d  P A  c irc uit.  From   the  si m ulati on   re su lt s  in  Fig ur e   6,   it   sh ows  t ha t  the   powe r  gain of  t he  am plifie r  cir cuit i s g reater  than  10 dB w it h  the isolat io n  coeffic ie nt ( S 12)  a nd  the  retu rn  los s   is l ess tha n  - 10 dB  on b a ndwi dt h           Figure  6 .  Sim ulate d  res ults o f S p a ram et ers     Fo r   power  am plifie r  ci rcu it s,   in  a ddit ion  to  the  c har act erist ic   par am et ers  s uch  as   outp ut  powe r  le ve l   (P out ),  g ai n  ( G), ther e are also extrem el y  i m p or ta nt p aram eter s that are d ra in ef fici ency ( DE)  a nd   power add e d  eff ic ie ncy  (PA E).   The  dr ai n  eff ic ie ncy  is  determ ined  by  the  rati o  of   the  ou t pu t  po wer   ( P out )  to  the  dissipated   powe r  ( P DC ) [4] :     =     (3)     The  powe r  a dded   ef fici ency   is  de fine d  by   the  rati o  of  the  diff e re nce  betwee n  t he  outp ut  an d  the  input p o wer t o t he  dissi pated   powe r  [ 4]:      =  −     (4)     Perfo rm   ci rcu it   si m ulati on   w it h  supp li es  powe r   Vd s= 28 V  an d  V gs = - 3.5 V.   T he  pow er  am plifie r   op e rates  at   2.6 5  GH z   with  i nput  powe r  le ve ls  from   20   to   45  db m .  The  Si m ulati on   res ults  of  power  ad de d  eff ic ie ncy a re show n  in   Fig ure   7 .     Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vo l.   23 , N o.   1 ,  Ju ly   2021 :  3 3 0   -   3 3 7   334       Figure  7 .  Sim ulate d  res ults o f PAE       3.   E X PERI MEN TAL  RES UL TS  A ND  D IS CUSSIO NS   Ba sed  on  the  desig ne d  W P D   ci rcu it ,  the  layou t  of   the  ci r cuit  is  design e d  an d  fabrica te d  us in g  the   LPK F  C4 0. T he   W P D ’s  pr i nted  ci rc uit b oa r d  (P CB )  is  sho wn in    Figure   8 .   T he WP D’ s  PCB  circuit i s m easur ed usin g  V ect or N et work A na ly zer  Anrit su .   The fo rw a r d  transm issi on   of  WPD  is  s hown  in  Er r or!  Ref ere nce  s ourc e  not  found . .  It  s hows   the  f orward  gain   of   - 3.3 26   dB in  co m par is on w it h a si m ulati on ’s f orward  gain o f  - 3.3 23  dB in   Fig ur e   6 .   The  P A  ci rcu it   is  desi gn e d  a nd  fa bri cat ed  e xperim ental ly   with  supp li es Vd s  an d  Vg s   th rough  t he  DC   and   RF  filt ers.  The  pri nted  c ircuit   bo a r d  of   PA   is  show n   Figure  1 0 .  T he   dr ai n  c urre nt  has  m easur ed  about  1000  m A.   The  m easur ed  res ults  of   S  par a m et er  us ing   V ect or   Net wor k  An al yz er  is  s how n  in  the  f ol lowing  fig ur es .   T he  m easur em ent   res ult i n  the     Figure   10   dete rm ines  a  peak   gain  of   13. 519  dB  at   2.6 45   GH z ,  w orki ng  in  a  wide  fr e quency  range   from   2. 45  G Hz   to  3G Hz  a nd  hav i ng  a  gain  gr eat er   tha n  11.5   dB.  From   Fi gure  11,  it   sho ws  that  t he  gain  is  th e   sam e b et ween   si m ulati on  and  the m easur ed  re su lt s .                 Figure  8 .   WPD’s  pr i nt ed  ci rc ui t bo a rd       Figu re  9.  The  forwar d  t ran sm i ssion o f WP D     Fr om   Figure  12,  it   can  be  se en  t he  value   of  the  forw a r d  ref le ct io n  (S 11 )   achieves   - 26. 657  dB  at   2.639 5GHz  an d  is  le ss  than  - 10  dB  in  ba nd  from   2. 5GH z  to  2. 8G Hz.   Lo ok i ng   at   the   si m ulati on   resu lt   in   Figure  6  a nd m easur em ent r es ults in  Fig ur e  12, it s hows  a  re la ti vely  g ood s i m i la rity .   The  m easur em ent  res ult  of  S 22   in  Fig ur e  13   shows  that  it   reaches   - 24.45 7  dB  at   2.7 55  GH z  an d  is   le ss  than  - 15   dB   in  the  wor kin g  f reque ncy  ba nd.   T he  m easur e d  ou t pu t  ret urn  lo ss  c om par ed  t o  the   sim u la te d  value  is  quit e s i m i la r.   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Desig n of  high  po we r  am plif ier  base d on wi lk inson  powe r c ombi n er f or   wi r el ess …   ( Tra n  Va n Ho i)   335   The  la r ge  signa ls  of   PA   ci rc uit  wer e  m eas ur e d  us i ng   S pe ct ru m   analy z er  ESP 13   R ohde&S c hwa r z   and   Sig nal  Ge ner at or   8648C   Ag il ent.  Fig ure  13   il lust rates  the  m easur em ent’s  ou t pu t  powe r  of   49.3   dBm   at  input p ower  of  37 d Bm .         Figure  9 .  P ow e r  am plifie r’ s  pri nted  ci rc uit b oa rd     Figure  10 . T he  forwar d  tra nsm issi on  of  PA               Figure  11 . T he  m easur e m ent r esult  of in pu t  return  loss S 11     Figure  12 . T he  m easur e m ent r esult  of outp ut  r et urn   loss S 22           Figure  13 .  O utp ut  powe r of P A       Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vo l.   23 , N o.   1 ,  Ju ly   2021 :  3 3 0   -   3 3 7   336   Table  2  s how s  the  resu lt s  of   c om par ing   the  the  powe r   a m plifie r  si m ulati on   a nd   m easur e rm ent   perform ance  in  the  fr eq ue ncy  band  ( 2.4 5  GHz  –   3.0  G Hz) .  The  res ults  sho w  a  m easur ed  gain  of  11. 5  dB   and  a  po wer   a dd e d  eff ic ie ncy  of  61.1%  for  an  i nput  pow er  of  37   dBm   at  2. 65  G Hz.   Ta ble  3  sho ws  the  re su lt s  of   com par ing   the  par am et ers  of   the  pro posed  de sign   wit h  the  previ ou sly   publi sh e d  wor ks .  F r om   the  ta ble  it  can   be  see n  t hat th e pro posed  d e s ign   has  the  highest   ou t pu t  po wer an d ba ndw idth.       Table  2 .  Me as ur e d  a nd sim ul at ed  res ults  with in put p ower   of 37  dBm     Si m u latio n     Measu re m en t   Po u t ( d B m )   4 9 .5   4 9 .3   Gain  ( d B)   1 4 .02   1 1 .5   PAE  (%)   6 3 .2   6 2 .1       Table  3 .  C om par isi on w it h st a te  o f  the a rt   Ref erence   Frequ en cy   ( GHz )   Po u t ( d B m )   Gain  ( d B)   PAE  (%)   6   2 .45   5 0 .4   9 .2   62   7   2 .5 - 3 .8   4 8 .8 - 4 9 .8   9 .3 - 1 2 .7   54 - 67   8   1 .3 - 3 .4   4 2 .2 - 4 3 .9   7 .2 - 1 1 .2   45 – 6 2 .3   This  work   2 .4 - 3 .0   4 8 .5 - 4 9 .3   1 1 .5 - 1 3 .5   54 - 6 2 .1        4.   CONCL US I O N   In   c on cl us io n,  the  power   am plifie r  f or   wire le ss  com m un icati on s  at   cente r  fr e quue ncy  of  2.6 5GHz   has  bee n  s ucce ssfu ll y  desig ne d  a nd  fa br ic at e d.   The   tw o  45W  powe r  am plifie rs  was  desi gn e d  us i ng  LD MOS  FET.  I n  ad diti on,  com bin ing  two  powe r  am pl ifie r  m od ul es  us in g  W il ki ns on  pr oduces   up   to  90 W   of  ou tp ut   powe r.   T his  te chnolo gy  c an  be  ap plied  to  com bin e  highe r  powe r  if  it   use   n - way  W P D.   T he  m easur em ent   resu lt s  ha ve  be en  achive d  the o ut pu t  po wer  of  49. 3  dBm ;   PA E  of  62. 1%;  the  f orward  gai n  of  13. 5  dB  is  m or e  than  11.5   dB  inb a nd  an d  the   input/ ou t pu t  r et urn  losse d  is  le ss  than  - 10   dB.   T he  desi gned  am plifie r  can  be   us e d  f or  4G,  5G m ob il e com m un ic at ion s and S - ba nd satel li te  co m m un ic a ti on .       REFERE NCE S   [1]   Raz a ,   A.,   and  Gengle r ,   J. ,   “ Design  of  a  70  W  Wi deba nd  GaN  HEMT  Pow er  A mpl ifi e r  with  60%  Eff ic i ency   ove r   100 - 1000  MH z  Bandwidt h, ”   in   2018  IEE E  Topical   Confe ren ce   on  RF /Microwave  Powe r  Amplif ie rs   for  Radi o  and  Wirel ess A pp li ca ti ons ( PA WR) ,   Mar.   2018 ,   pp . 7 2 - 74,   doi :  10 . 11 09/PAW R. 2018. 8310071 .   [2]   Rac hakh ,   A. ,   El  Abdell aou i,   L.,  Zbi tou ,   J. ,   E rrki k,   A. ,   T aj m ouati ,   A. ,   and  L at r ac h ,   M. ,   “ A  No vel  Configura ti on   of   a   Microstri p  Pow er  Am pli fie r  base d  on  GaAs - FET  for  ISM   Applic at ions , ”  Int ernati onal  Journal  of   El ectric a l  and   Computer  Engi n ee ring ( IJE C E) ,   vol.   8 ,   n o .   5 ,   pp .   3882 - 3889,   Oc t 2018 ,   doi :  10 . 11 591/i jece . v8i5 . p p3882 - 3889.   [3]   A.P.  Freundor fe r,   et   a l.,   “ A  Com pac t  90W   Broadba nd  Dohert y   Am pli fie r, ”  In   2 016  14th  IEEE  I nte rnational   N e w   Circui ts and   Sys te ms   Confe ren ce ( NEWCA S) ,   Jun.   2016 ,   pp .   1 - 4 ,   doi:   10 . 1109/NE W CAS . 2016. 7604742 .   [4]   David  M.   Pozar ,   “ Microwa ve En gine er ing, ”   John   Willey  &   Son s ,  2005.   [5]   Mabrok,   M.,   Zakari a ,   Z.,  Sutikn o,   T.,  and  Alhe gaz i ,   A ,   “ W ide band  power  amplifi er  base d  on  W il kinson  power  divi der   for  S - ba nd  sate llite   comm unic at ions ,”   B ull etin  of  Elec tric al  Engi n ee ring a nd  Informatic s   ( BE EI) ,   vol.   8,   n o.   4,   pp .   1531 - 153 6 ,   De c  2 019 ,   doi :  10. 11591 /eei. v 8i4. 1552 .   [6]   Naka ta n i,   K . ,   a nd  Ishiza ki ,   T. ,   “ A  2. 4  GH z - Band  100W   GaN - HEMT  High - Eff iciency   Pow er  Am pli fie r   fo r  Microwa ve  He ating , ”  Journal  o f el e ct rom agnet i c engi ne ering  and  scie nc e ,   vo l. 15 ,   no.   2,   pp.   82 - 88 ,   Apr .   2015 ,   doi :   10. 55 15/JKIEES . 2015. 15 . 2. 82 .   [7]   Saad,   P. ,   Hou,  R. ,   He ll ber g ,   R. ,   and  Berg lund,   B. ,   “ An  80W   Pow er  Am pli fie r  w it h  50%  Ef ficien c y   at   8dB  Pow er  Bac k - off  over   2 . 6 - 3. 8  GH z , ”  In  2 019  IEE E  MTT - S  Inte rnational   Mic rowave  S ymposium ( IMS ) ,   J un.   2019,   pp . 132 8 - 1330,   doi :  10 . 11 09/MW SYM.2019 . 8701113.   [8]   Saad,   P.,   Maa ss en,   D.,   and  Boe c k,   G ,   “ Eff ic ie n t  and  W ide band  T wo - Stage   100   W  GaN - HEMT  Po wer  Am pli fie r , ”   In   2014  9th  European  Mic rowave  Int eg rated  Circui t   Confe renc e ,   Oct.   2014,   p p.   337 - 340,   doi:   doi: 10. 1109 /e um ic . 2014 . 6997861 .    [9]   Jia,   P.,   You ,   F.,   and  He,   S. ,   “ A  1. 8 – 3. 4 - GH z  Ban dwidth - Im prove d  Rec onfigur able  Mode  Dohert y  Pow er  Am pli fie r   Util izing  Sw it ch es , ”  IE EE   Mi crowave   and  Wire le ss   Components  Lett ers ,   v ol .   3 0,   no.   1,   pp .   102 - 105,   Jan .   202 0 ,  doi:   10 . 1109/LM W C. 2019. 2951215 .   [10]   Bhardwa j,   S. ,   an d  Kitc hen ,   J.,   “ B roa dband  Para ll e l  Dohert y   Pow er   Am pli fie r  in  Ga N  for  5G  Applic at ions , ”  In  2019   IEE E  Topi cal   C onfe renc e  on  R F /Mi crowav e  Po wer  Ampli fiers   f or  Radi o  and  Wi rele ss   Appl i cat io ns  ( PA WR) ,   May .   2019 ,   pp .   1 - 3 ,   d oi:   10 . 1109/PAW R. 2019. 8708727 .   [11]   Ila m ara n ,   S.  G.   I . ,   Yus off,   Z.,  an d  Sam pe,   J. ,   “ 0. 5GH z  -   1. 5GH z  Bandwidt h  10W   GaN  HEMT  RF   Pow er  Am pli fier  Design , ”  Inte rna ti onal  Journal  of   El ec tri cal   and  Computer  Engi nee ring  ( IJE CE) ,   vol.   8,   no.   3,   pp.   1837 - 1843,   Jun.   2018 ,   doi :  10 . 11 5 91/i jece . v8i3 . p p1837 - 1843 .   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Desig n of  high  po we r  am plif ier  base d on wi lk inson  powe r c ombi n er f or   wi r el ess …   ( Tra n  Va n Ho i)   337   [12]   Barmala ,   E . ,   “ Design  and  sim ula t e  a  doh erty  power  amplifie r  using  GaAs   t ec hnolog y   for  t el e comm unic at i on  appl i ca t ions , ”  In donesian  Journal  of  Elec tri cal   E ngine ering  and  Computer  Sci en ce   ( IJE ECS) ,   vol.   15,   n o .   2,   p p .   845 - 854,   Aug .   2 019 ,   doi :  10 . 115 91/i jeec s.v15 . i2 . pp845 - 854 .   [13]   Riba te,  M. ,   Man dr y ,   R. ,   Zbi tou ,   J.,   E l  Abde ll aou i ,   L . ,   Err kik ,   A. ,   and  L at ra ch,  M.,  “ 1. 25  GH z  –   3 . 3  GH z  broa dban d   solid - stat e   powe r  amplifier  for   L  and   S  bands  appl i ca t ions , ”  In te rnational   Jour nal  of  Elec tri ca l  and  Comput er   Engi ne ering   (IJ ECE ) ,  v ol .   9 ,   n o .   5,   pp.   3633~3641,  Oct   2019 ,   doi :   10. 11591/ ij e ce. v9i5. pp3633 - 36 41 .    [14]   Riba te,  M. ,   Zbi t ou,   J.,  Mand y ,   R. ,   Erki k ,   A. ,   and  La tr ac h ,   M.,  “ Broadba nd  GaAs   FET  Pow er  Am pli fie r  for  L  and   S   Bands  Applic ati o ns, ”   Inte rnatio nal  Journal  of  Inte lligent   Engi n ee ring  and  Syst ems ,   vol.   11,   n o.   5,   pp.   96 - 10 5,   2018 ,   doi :  10 . 22 266/i jies2018.10 31. 09 .   [15]   Rac hakh ,   A. ,   El  Abdell aou i,   L.,  Zbi tou ,   J. ,   E rrki k,   A. ,   T aj m ouati ,   A. ,   and  L at r ac h ,   M. ,   “ A  Novel   Configura ti on   of   a  M ic rostrip  Micr owave   W ide ban d  Pow er  A m pli fie r  for  W ire le ss   Applic a ti on, ”   TEL KOMNIKA  (T el e communic ation,   Computing,   El e c tronic s and  Con t rol) ,   vol.   16 ,   no .   1,   pp .   2014 - 203 1,   2018 ,   doi :  10 . 12928/t el kom ni ka. v16i1 . 7369 .   [16]   MS .   Khan,   et   al. ,   “ A  Novel  Tw o - Stage   Broadb and  Dohert y   Po wer  Am pli fie r  for  W ire le ss   Ap pli c at ions, ”   IEEE  Mic rowave   and  Wirel ess Compo nent s Let te rs ,   vo l.   28 ,   no .   1 ,   pp .   4 0 - 42,   2018 ,   doi : 10.1109/ LMW C. 2017. 2775157 .   [17]   Mabrok,   M. ,   Z a kar ia,  Z . ,   and   Saiful l ah,  N. , “ De sign   of   W ide - ba nd   Pow er   Am pli f ier   Based   on   Pow er   Com bine r   Te chn ique   with   Low  Inte rm odul at ion   Distor ti on, ”  Inte rnat ional   Journal  of  E le c t rical   and  Comp ute r  Engi n ee rin g   ( IJE CE) ,   vol. 8 ,   n o.   5 ,   pp .   3504 - 3511,   2018 ,   doi : 10.11591/ i je c e. v 8i5. pp3504 - 351 1 .   [18]   Moham ed  R . ,   R ac hid  M . ,   Jam al   Z . ,   La rbi  A. ,   Ah m ed  E . ,   Moham ed  L . ,   Ahm ed  L . ,   “ A  tra de - off  de sign  of  m ic rostrip  broa dband  powe r   amplifi er   for  UH F  appl ic ation s” ,  Int ernati onal   Journal  of  El e c tric al  and  Comp ute r  Engi n ee rin g   (IJECE),   vo l.   10 ,   n o.   1,   pp.   919~927 ,  Feb   2020.     [19]   Ta n,   J. ,   Yuk,  K.   S.,   and  Br anne r ,   G.  R. ,   “ Design  of  a  high  powe r,   wideba nd   po wer  amplifi er   using  AlGaN/GaN   HEMT, ”   In   20 17  IEEE  18th   Wireless   and  Mic rowav e  T ec hnolog y  Conf ere nce  ( WAM ICON) ,   2017 ,   doi :   10. 1109/WA MICO N.2017. 7930252 .   [20]   Rac hakh ,   A. ,   E l   Abdellaoui,  L . ,   Zbi t ou ,   J. ,   Err kik,   A. ,   Ta jmou at i ,   A. ,   and   Lat rac h,   M. ,   “ A  Novel  Design  o f  a   Microstri p  Micr owave   Pow er  Am pli fie r  for  DCS   Applic at io n  using  Coll ec t or - Feedba ck  Bi as , ”  Int ernati on al   Journal  of  El e ct rical   and  Co mputer  Engi neer ing ( IJE CE) ,   v ol.   8,   no.   5,   pp.   3504 - 3 511,   Oct.   2018,   d oi:  10. 11591/ijece. v 8i3. pp1647 - 165 3.   [21]   Darra ji,  R. ,   Bha skar,   D.,   Sharm a,   T.,  Hela ou i,   M.,   Mous avi ,   P. ,   and  Ghannouc hi,   F.  M. ,   “ Gene ral i ze d  The o r y   a nd   Design  Methodol og y   of  W ideband  Dohert y   Am pli fie rs  Applie d  to  th e  Realizat ion  of  an  Oct ave - B andwid th  Protot y p e,”  IEEE  Tr ansacti ons  on  Mic rowave  Theory  and  Techni ques ,   vol.   65,   no.   8,   pp.   3014 – 3023,   Aug.  2017 ,  doi:   10 . 1109/TM TT . 2017. 2671 438 .   [22]   Rubio,   J.  J.  M.,   Camarc hia ,   V. ,   Pirola ,   M.,   and   Quagli a,   R. ,   “ Design  of  an  87 %  Frac ti onal   Ba ndwidth  Dohert y   Pow er  A m pli fier  Supported  b y   a  Sim pli fie d  Ba ndwidth  Esti m ation  Method, ”  I EE E  Tr ansa ctio ns  on  Microwa ve   The or y   and Tec hnique s,  vo l. 66, no. 3, pp. 1319 - 1327,   Mar .   2018 ,   doi :  10 . 1109/TM TT . 2017. 2767 586 .   [23]   Fa ng,   X.  H. ,   Liu,  H.  Y. ,   Ch en g,   K.  K.   M.,  a nd   Boum ai za,  S. ,   “ Modifie d   Dohert y   Am pli fi e r  W it h  Extende d  Bandwidt h  and  Bac k - Off  Pow er   Range  Us ing  O pti m iz ed   Peak   C om bini ng  Curre nt  Ra ti o, ”  I EE E   Tr ansacti ons  on   Mic rowave   Theo ry  and  Tech niqu es ,   vol .   66 ,   no .   1 2,   pp .   5347 - 535 7 ,   2018 .   [24]   Sa ad,   P . ,   Hou,  R . ,   H el lb erg ,   R. ,   a nd   Bergl und ,   B . ,   “ A  1. 8  -   3. 8 - G Hz  Pow er  Am pli fie r  W it h   40%  E ffic i ency   at  8 - dB   Pow er  Bac k - Off,”   IE EE   Tr ansacti ons  on  Mic rowave  Theory  and  Techni ques ,   vol .   66,   no.   11,   pp.   4870 - 4882,   Nov.   2018 ,   doi :  10 . 11 09/T MTT . 2018. 2867426 .   [25]   Jia,   P.,   You ,   F.,   and  He,   S. ,   “ A  1. 8 – 3. 4 - GH z  Ban dwidth - Im prove d  Rec onfigur able  Mode  Dohert y  Pow er  Am pli fie r   Util izing  Sw it c hes , ”  IE EE   Mi crowave   and  Ưirel ess  Components  Lett ers ,   v ol.   30,   n o .   1,   Jan .   2020 ,   doi:  10. 1109/L MW C. 2019. 2951215       BIOGR AP HI ES OF  A UTH ORS       Dr.   Tran  Van   Hoi   recei ved  an   Engi nee r ing  de gre e  in  tele comm unic at ion  t ec h nique s  from   the   Univer sit y   of  Tr ansport  and  comm unic at ions  (UTC)  in  2001.   He   obta ine d  a  Master ’s  degr e e  in   rad io  e lectr oni cs  and  comm unicati ons  from   Le  Qu y   Don  T ec hn ic a l  Univer sit y   i n  2004.   From  2001   to  2017,   He  was  a  le ct ur er  at   Coll eg e  of  Ra dio  and  Te l evi si on  1,   Radi o  the   Voice   of  Viet   Nam .   He  re ce iv ed  Ph.D  degr ee  in  Elec troni cs  T ec hnolog y   and  Com m unic at ion  in  Univer sit y   of  Engi ne eri ng  and   Te chnol og y ,   Vi et   Nam   Nati onal  Univer sit y   in  2 018.   Since   2018 ,   He  has  bee n  working  at   Thu y   Lo i  Univer sit y .   His  r ese arc h  int er ests  rel a te   t o  RF   design,   RF   chi p  design ,   W ire ll ess   Com m unic a ti on.   Emai l :  hoit v@ tl u . edu.vn .          M. S.  Ngo  Th i  Lan h  was  born   in  Nam   Dinh  Province ,   Vi et   Nam ,   in  1977.   She  rec e ive d  a   Bac he lor  of  E le c troni cs  and   Te lecom m unic at ions  from   Univer sit y   of   E ngine er ing  and   Te chno log y ,   Vi et nam  Nat iona l   Univer sit y   in  2001.   She  ob ta i ned  Master ’s  d egr ee  in  r adio   el e ct roni cs  and  comm un ic at ions   from   Le   Qu y   D on  Te chn ic a l  Un ive rsit y   in   2004.   From   2001  t o   2018 ,   She  was  a  le ct ur er  at   Col l ege   of  Radi o  an d  Te le v ision  1,   Radi o  the   Voic e   of  Viet   Nam .   Since   2019 ,   She  has  worked  at  Univer sit y   of   Tra n sport  Te chno log y .   Her  r ese ar ch  f ocuse s  on  RF   des ign ,  Autom atic  Con trol ,   W ire l le ss   Com m unic at ion. E m ai l :  la nh nt@ut t.edu. vn     Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.