Indonesi an  Journa l  of El ect ri cal Engineer ing  an d  Comp ut er  Scie nce   Vo l.   1 3 ,  No.   2 ,  Febr uar y   201 9 , pp.  7 13 ~ 720   IS S N: 25 02 - 4752, DO I: 10 .11 591/ijeecs .v1 3 .i 2 .pp 7 13 - 720          713       Journ al h om e page :  http: // ia es core.c om/j ourn als/i ndex. ph p/ij eecs   D esign  an d developm ent of  RF powe r detect or   for m icrowa ve  appli ca ti on       Moham oud  M ou se  Ali 1 ,  S i ti  Z uraida h  I br ah im 2 ,  I sma h ayati  A d am 3 , Nureh an s afw anah Kh alid 4   1, 3 School  of  Co m pute r  and   Com m unic at ion   Enginee ring ,   Univ ersit i  M al a y si a  Per l is,  Mal a y s ia   2, 4 Advanc ed  Co m m unic at ion  En gine er ing  (ACE)   Cent r e, Unive rs it i  M al a y si a  Per l is,  Mal a y s ia       Art ic le  In f o     ABSTR A CT   Art ic le  history:   Re cei ved   Sep   1 2 , 201 8   Re vised  N ov   14 , 2 018   Accepte d  Nov   2 8 , 201 8       Thi s  p ape r   pr ese nts  th e  d esign   an d  dev el opm ent  o f  th e   RF   power   det e ct or   for   m ic rowave   applications  th at  is  oper ating  at   2 . 4 GH z  using  m ic r ostrip.   The  design  of   diod e   d et e ct or   c irc ui t  is  sim ula te d   using  Ke y sight   AD S  s oftwa re   to ol .   The  design   of   t he  d iode  d et e ctor  in cl ud es  th e   m at chi ng   ne twork,  Schot t k y   diode  and   th e   l ow  pass  f il t er.  The  pap er   al so   pre sents  the  f ab ric a ti on   and   m ea surem ent   of the  d esigne d   ci r c uit .   Ke yw or d s :   Peak  diode  det ect or   RF  powe r dete ct or     Schott ky  di od e   Copyright   ©   201 9   Instit ut e  o f Ad vanc ed   Engi n ee r ing  and  S cienc e .     Al l   rights re serv ed .   Corres pond in g  Aut h or :   Sit i Zur ai da h I br a him ,    Adva nced Co m m un ic at ion  E ng i neer i ng (A CE) Cent re,    School  of Com pu te r  a nd Com m un ic at ion  Enginee rin g,   U niv ersit i   Ma la ysi a Perlis,    Pauh Mai n C am pu s,  02 600 A rau, Pe rlis, Ma la ysi a.   Em a il : si t iz ur ai dah@ un im ap. edu.m y       1.   INTROD U CTION   RF  powe r  dete ct or   is  a  de vic e  w hich  c ha nges  the  si nu s oi dal  RF  sig nal  into  a  DC  vo lt age  f or  the  pur po se  of   m easur i ng   t he  po wer   le vel  of   a  sign al .  Diode  de te ct or s  are  a  widely   us e d  te chn i qu e  for  m e asur i ng   RF  powe r  [ 1].  Diode  detect or s  us e  the  recti f ic at ion   f un ct io n  to  c hange  th e  sinu s oid al   si gn al   int o  DC  volt age.   The  si gn i ficant   facto r  in   the   desig n  a nd  perform ance  of  a  ci rcu it   or  syst e m   that  wor ks   at   RF  or  m ic ro wav e   fr e qu e ncies  is  t heir  outp ut  po wer.  T o  unders ta nd   t he  basic  c ircuit   el em ent  up  to  overall   sy st e m   per f or m ance  it ' s   cru ci al   to  m easur e   the  si gn al   le vel  [ 2 - 5].  T his  m eans  that  the  te ch niques  and  po wer   m easur em ent  eq uip m ent  m us t  be  pr eci s e  an d  s uitable .   The  c om pone nts  in  a   syst em   m us t  receive  the  c orrect  s ign al   le vel  fro m   the  pr ece ding  c ompone nt  an d  pa ss  the  s uitable   sign al   le vel  to  the  ne xt  com po ne nt.  In   t he  e ven t  that  t he  outp ut   sign al   tu rn s  ou t  to  be  too   l ow,   the  sign al   ca nnot  be  detect ed   and   bec om es  ob s cu red   i n  no ise .  On   t he  co nt rar y,  if the si gn al  level t urns  out to  b e t oo h i gh, the  p e rfor m ance  get s to  b e  no nlinear  and  disto r ti on  ca n resu lt   [6 ] .   Diodes  al lo w  the  volt age  t o  pa ss  only   in  one   directi on  an d  blo c ks   in  t he  ot her   directi on.  Diodes  ar e   bein g  us e d  for   the  RF   an d  m ic ro wa ve  power  m easur em ent  since   lo ng  tim e  ago   but  wer e   only   lim it ed  to     lowe r  f re qu e nc ie s [ 7].   Diode  detect or s  util iz e  hi gh - f reque ncy  di od es  to   detect   t he   RF  powe r.  T he  diode   pe rfo rm s  pr oce ss  cal le d  recti fica ti on ,  a nd  it   c onve rts  the   RF  sign al   i nto   DC   so  that  the   po wer  can   be   m e asur e d.  O ne  or   m or e   diodes   can   be   us e d  t o  pe rform   the  r ect ific at ion  an d  m akes  it   resist ant  t o  ha rm on ic   dist or t ion .   Diode   det ect or s   ty pical ly   hav e  la rg e  dynam ic   range  usual ly   betwee n  - 70   to   +2 0dBm .  Howev e r,  the   ope rati on  of  t he  di od e   is   no t l inea r, an d i t i s n ot t he  sa m e in the  e ntir e d ynam ic  r an ge.   RF  detect or s  a re  us ed   in  m any  ap plica ti ons.  T hey  are   m ai nly  us e d  f or   transm it te r  ou tp ut  po we r   m easur em ent  and  c on t ro l.   In  [ 2],  a   wide band   diode  detect or   was   prese nted.  The   desi gn  has   a  bias   c urren t   wh ic h  Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vo l.   1 3 , N o.   2 ,  Fe bru ary  201 9   :   713   –   720   714   can  m ake  the  desig n  c om plex,   but  in  t his  pa per,  the   bias  netw or k  is  rem ov e d  w hich  m ade  the   de sig n  si m ple.   Figure  1  s hows  the  diode  dete ct or   blo c k diag ram  an d  Fi gure  2  s how s the  d i od e  d et ect or   re gion.           Figure  1 .   Di ode d et ect or  blo c k diag ram             Figure  2 .   Di ode d et ect or  reg i on s  [7]       2.   RF  P OWE R DET ECTO R CIRC UIT  DE SIGN   The  desig n  of   RF  powe r  dete ct or   in  A DS   is   div ide d  i nto   t hr ee  par ts;   the   Schott ky  di ode,  low  pas s   filt er,  an d  m at chin g netw ork.   Figure  3  s hows  the  blo c k diag ram  o f  the  sim ulate d  ci rc uit d et ect or  in  ADS .        M a t chi ng  Ne t w or k S cho t t k y   D i o de F i l t eri ng  net w o rk RF   i n p u t D C   o u tp u t     Figure  3 .   Syst em  B lock Diagr a m       The  detect or  is   desi gned   usi ng  m ic ro strip   te chn i qu e   on  FR 4  s ubstrat e.   M at ching  netw ork  c onsist s  of  sing le   op e n  st ub  m at ching   an d  filt erin g  network  co ns ist s  of   a  100pF  ca pa ci tor  an d  100kΩ  resist or   c onnecte d  in  se ries.  Tabl e  1  s hows   the  su bst rate  s peci ficat ion s.   I n  th is  pa per,  t he  S cho tt ky   di od e   us e d  is  HS MS 2850 ,   m anu fact ur e d  by  H P.  T he  de sign e d  ci rc uit  is  operati ng  at   2.4GHz  be cause  m os t  of  the  a pp li cat io ns   a re   op e rati ng at thi s f r eq ue ncy.       Table  1.   Substr at e sp eci ficat io n   S y m b o ls   Descripti o n s   Valu e   h   Su b strate He ig h t   1 .6 m m   ε r   Dielectri c Co n stan t   4 .7   Ta n D   Diss ip atio n  Factor   0 .01 8   t   Co n d u ct o r  Thick n ess   0 .01 7 m m   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Desig n a nd d e vel opmen t  of R F power  detect or  f or   microw av e app li cati on  ( Siti  Zu ra i dah Ib r ahim )   715   2 . 1.       Matchin g  ne twork   The  m at ching  netw ork  is   one   of  the   m os t  vi ta l  par t  in   the   desi gn  of  t he  diode  detect or.   The   m ai n   pur po se   of  t he   m at ching   net work  is  t o  m at ch  the   s ource   im ped ance  t o  that  of  the   de te ct or .  The   s ource  i m ped ance   f or  m os t  com m un i cat ion   a ppli cat ion s   is  50  Ω .  The   m at ching   netw ork   is  require d  beca us e  of  t w o  m ai n  reasons,  the  first  bein g  to  pro vid e  m a xim u m   po wer   trans fer   a nd  th e  seco nd   bein g  to  preve nt  sta nd i ng   wav e s fo rm ed  because   of   ref l ect ion .   Ther e   are   m any  ways  use d  to  desig n  a   m at ch ing   netw ork   suc h  as   L  m at ching  net wor k.   T he   L  m at ching  consi sts  of   cap aci tor  a nd  i nduc tor.  Ot her  m atch in g  te c hn i ques   use d  are   the   quarte r  wa ve  t ran s f or m er,  a nd  t he   op e n  an d  sho rt  stu b  m at ching  as  sho wn  in   F igure  4.  T hese   te chn iq ues   are   i m ple m ented  usi ng  the   m ic ro - strip   te chnolo gy. T he  chose n  m at c hing  netw ork  i n  this  p a per is  op e n st ub m at c hing  netw ork.           Figure  4 .   Serie s stu b  m at ching   netw ork [7 ]       2 . 2 .       Sc hott ky  diode   S ch ottky  di od e   nam ed  after  a   Ger m an  physi ci st  Walt er  H .  Schott ky;  is  a  sem ic on duct or   diode  t hat  hav e  fo rw a rd  volt age  dro p  a nd  fast s witc hing acti on.  T he n or m al  d io de ha s volt age  dr op  0.6 - 1.7 v olts,  w hile a   sch ottky di od e   has rou gh ly   0.15 - 0.45 volt s.   In  this   p a pe r,   S ch ottky  diode   use d  is  t he  H SMS - 2850  pro du ct   f or m   HP.   From   the  s pic e  pa ram et er   giv e n,  t he valu e of Rj  can  b e   cal culat ed usin g (1).     = 8 . 33   × 10 − 5  +   (1)     wh e re:     I b   =   bias  c urre nt     I s   =   sat ur at io n cu rr e nt     n   = ideal it y fact or     T   = tem per at ure i n Kelvin     Fr om   the  sp ic e   par am et er  give n  the  value  of  I s   =1 x10 - 5   A ,  n   =1 .08,  a nd  th e  value  of   I b   is  assum ed  to   be  zer o  becaus e  this  desig n  does  no t  im ple m ent  biasing,  and   t he  te m per at u re  is  ass ume d  to  be  20 ˚C  wh ic h  equ al s   to  293K.  T he  cal c ula te d  val ue  of   Rj   is  527  kΩ.   S cho tt ky   diode  equ i valent  desi gn  in  A DS   s how n  i n  Figure  5.           Figure  5 .   Sc ho t tky   diode e qui valent  desig n  i n ADS   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vo l.   1 3 , N o.   2 ,  Fe bru ary  201 9   :   713   –   720   716   2 . 3 .       Fil terin g  netwo rk   The  filt erin g  ne twork  in  t he  powe r  detect or   con sist s  of   a  sm oo thing   ca pa ci tor  an d  a  lo ad  resist or   connecte d  i n  pa rall el .  T his  f orm s  a  lo w   pas s   filt er   that  al lo ws   only   t he  l ow  freq ue ncy  si gn al   produce d  by  t he   detect or  to   pas s  thr ough.   T he  capaci tor   in   th e  filt erin g  netw ork  al s o  act s   as   sm oo thin g  ca pa ci tor.  Th is   hel ps   t o  change t he  i nput RF si gn al  t o a DC  volt age.   Fil te r  netw ork desig n  i n ADS   sh ow n  in  Fi gur e 6 .           Figure  6 .   Fil te r  netw ork  d esi gn in  A DS       2 . 4 .       O ver all  ci rcui t  simul ati on   Figure  7  s how s  the  overall   de sign  of  th e  ci r cuit  in  ADS.   T his  ci rc uit  is  us ed  in   the   sim ul at ion   t o  get  the  S - pa ram et e rs  a nd  th e  VSWR.  The   S - pa ram et er  si m ula ti on   is   use d  to   get  the   ret urn   loss   an d  t he  i nse rtio n  loss.   Fig ure  8  is  the   sam e  ci rcu it   but  it   is   us e d  for   Ha rm on ic   Ba la nce   s i m ulati on .  T he   Ha rm on ic   Ba la nce   si m ulati on   is  use d  t o  get  the   outp ut  vo lt age   ve rsu s   the   in put  powe r.   From   t he  desig ne d  ci r cuit,  the   la yout   of  th e   desig n  is o btained   usi ng A DS.  Fig ure 9  s hows  th e  la yo ut  of  the   ci rcu it .   T his  la yo ut  is  us ed  for  the   fa br i cat ion.   Figure  10 s hows  th e  f r on t si de  a nd b ac k si de of  the  fabric at ed  de sig n.           Figure  7 .   S - pa r a m et er s i m ulatio n  ci rcu it   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Desig n a nd d e vel opmen t  of R F power  detect or  f or   microw av e app li cati on  ( Siti  Zu ra i dah Ib r ahim )   717       Figure  8 .   Ha rm on ic   balan ce si m ula ti on  circ uit           Figure  9 .   Desi gn Layo ut           (a)   (b)     Figure   10 .   Fabri cat ed  ci rc ui t ( a) fr on t si de,   ( b) b ac k  si de       3.   RESU LT S  AND DI SCUS S ION   The  scat te ri ng   par am et ers  or   com m on ly   kn own  as  the  S - pa ram et ers  are  use d  to   pro vid e   a  com plete   descr i ption  of  an  N - port  net w ork.   T he  desi gned  ci rcu it   is  t wo   port  netw ork  an d  t he  a naly zed  par am et ers  are  the  S11,  S21,   an d  VSW R .  T he  si m ula te d  an d  m easur e d  pa ram et ers  are   prese nted.  T he  m ea su re d  param et e rs  ar e   fou nd  us in g  A gilent  E 8362B   P NA  netw ork   analy zer .  The   S 11  is   the   m easur em ent  of  how   m uch   po wer  is   ref le ct ed   in  p or t  1,  a nd  it   is   c om m on ly   know n  a s  t he  retu rn loss  a nd  it   is  m easur e d  in  d B. A  good   de sig n  has   a   return l os s  w hich  is l ess   - 10dB .   A  c om par iso n  of  the   sim ulated   a nd  m easur e d  S11   is  s how n  in   Fig ure 1 1. The   sim ulate d  S11  s how s a   return  l os s  of   - 35 dB  at   2.4 G Hz  c om par ed  to  the  m easure d  re su lt   w hic h  gi ves  a bout   - 30 dB  at   the   sam e   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vo l.   1 3 , N o.   2 ,  Fe bru ary  201 9   :   713   –   720   718   fr e qu e ncy.   T his  s hows   that  t her e   is  good   m at ching   a nd  m os t  of   t he  si gn al   po wer  pa ssed   thr ough.   Anothe r   i m po rtant  S - pa ram et er  is  the  S21  wh ic h  represents   the  po wer  tran sfe rr e d  from   port  1  to   port  2.  A   ci rc uit  with   good  perform a nce  has  a n S2 1 w hich  is  less  t han  - 3dB at  the  r es on a nt  fr e quency.       Fre quency   (Hz) 2 .0 x10 9 2 .2 x10 9 2 .4 x10 9 2 .6 x10 9 2 .8 x10 9 3 .0 x10 9 S 11(dB ) -4 0 -3 0 -2 0 -1 0 0  me a sur e d  S1 1    s imu la te d  S1 1       Figure  11 .   Me a su re d vs Si m ul at ed  S 11       Figure  12  s ho ws  t he  sim ulated   a nd  m easure d  S 21,   the   sim ula te d  S 21  at   the  res on a nt  f reque ncy  is  - 2.5d B ,  w hich  i s  in  the  re quire d  ra ng e ,  w hile  t he  m easur ed  S 21   is  - 5.7 dB  w hich  is  sli ghtl y  le ss  than  the  re qu i red  range,  this is  be cause  of the  s ub st rate w hich   has hig h  l os s a nd er rors fr om  f ab ricat ion.       Fre quency   (Hz) 2 .0 x10 9 2 .2 x10 9 2 .4 x10 9 2 .6 x10 9 2 .8 x10 9 3 .0 x10 9 S 21(dB ) -5 0 -4 0 -3 0 -2 0 -1 0 0 me a sur e d  S2 1   Simu la te d  S2 1       Figure  12 .   M ea su re d vs si m ul at ed  S 21       The   la st  par a m et er  co ver e d  in   the   S - pa ra m et er  sim ulati on  is   the   V S WR.   The   VSWR  is   an othe r   par am et er  us ed   to  te st  the  im ped ance   m at chi ng.  A   pe rf ect   m at ched   ci rc uit  has  a  VSW R   value  of  1.  Fig ur e  13   sh ows   the   sim ulate d  VSWR   wh ic h  giv e s  a   value   of   1.0 36  and  that   in dica te s  that  t her e   is   go od  m at ching .   T he  m easur ed   res ul t  of   t he  V S W R   is  al so   s how n  in  Fig ur e   13,  t he  V S W R  at   t he   res on a nt  f requen cy   is  1.0 9  wh ic h  alm os t t he  sam e as the  sim ula te d  res ult.     Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Desig n a nd d e vel opmen t  of R F power  detect or  f or   microw av e app li cati on  ( Siti  Zu ra i dah Ib r ahim )   719   Frequency  (H Z) 2.0 x10 9 2.2 x10 9 2.4 x10 9 2.6 x10 9 2.8 x10 9 3.0 x10 9 VS WR 0.5 1 2 5 10 20 30 50 70 80 Me asur ed  VSWR   Simulate d VSWR       Figure  13 .   Me a su re d vs si m ul at ed  V S W R       Har m on ic   bala nce  sim ulati on   is  us e d  to  get  t he   in pu t   po wer  ve rsu s   the   ou t put  volt age.   As   st at ed  befor e ,   the  pur po se   of  the  powe r  dete ct or  is  to   m easur e   the   power  of  RF   sig nal  by   cha ng i ng  it   i nto  DC   volt ag e.  T he  resu lt   of   t he  ha rm on ic   balanc e  si m ulati on   is   sho w n  in   Fig ure  14,   cl early ,  it   sh ows  t hat  as   the  po wer   i ncrea ses   the  outp ut  vo lt age  al s o  inc rea ses.  F ro m   this  resu lt ,  t wo  pa r a m et ers  can  be   obta ined   the  f irst  is  the  dyna m i c   range  wh ic h  is  the  operati ng  ra nge  of  the   detect or   a nd  it   is  between   - 10dBm   to  - 30dB m   and   the  seco nd  par am et er  is  th e  sensiti vity   of  the  detect or   w hi ch  can   be   cal c ulate d  us in g  (1).   T he  cal c ulate d  se ns it ivit y  is  fou nd  to b e  40m V/ m W,  t his m eans f or e ver y  1m W,  outp ut  vo lt a ge  incr ease s  by  40 m V.     ) ( ) ( 0 mW P mV V D in s e n   (2)     wh e re:     Dsen   =   Detect or Se nsi ti vity  ( V/ W )     V0   =   O utput V oltage  (m V)     Pin   = I nput  power  (m W )       Input  P ow er  (dBm ) -10 0 10 20 30 Output  V olt age (V) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8     Figure  14 .   i nput  p owe r vs  ou t pu t  volt age       4.   CONCL US I O N   RF powe r dete ct or   us in g  ze ro b ia sed  Sc ho tt ky  d io des has  be en desig ned an d  sim ulate d  us ing   A gilen t   ADS  softwa re.   It   ha s  bee n  f abr ic at ed   to   ve rify  t he  pro pose d  desig n  e xp e rim ental l y  and  t he  S - par a m et ers  perform ance has g ood ag ree m ent b et wee n sim ulate d  an d m easur ed  r es ul ts.   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vo l.   1 3 , N o.   2 ,  Fe bru ary  201 9   :   713   –   720   720   ACKN OWLE DGE MENTS     The   aut hor   w ould   li ke   to   ac kno wled ge   the   su pp or t   f ro m   the  Fun dam ental   Re searc h  G r ant  S chem e   (F RG S)  under  a   gra nt  num ber   of  FRG S/1/2 015/T K04/U NI M AP /0 2/ 16  f r om   the  Mi nistry   of   Hi ghe r     Ed ucati on Mal ay sia .       REFERE NCE S s   [1]   V.  Te pp ati,   et al ,  " Modern  RF   an d  Microwa ve   M ea surem ent T e ch nique s , "   pp .   108 - 112 ,  2013 .   [2]   B.   Cim oli,  e t  al ,  " An  Ultra - W id eba nd  Scho tt k y   Diode  Based   En vel ope   Detect or   for  2. 5  Gbps   sig nal s, "   European   Mic rowave   Conf ere nce, EuMC ,   p p.   5 – 8 ,   2015 .   [3]   J.  L iu,  " Design  a nd  implement at i on  of   a   broa db an d  diod e  power   se nsor  cove r ing  0 . 01GH z  to   50GH z, "   2012   In t.  Con f.  Mic row.  M il l im.   Wav e  Te chnol.  I CMMT 2012  -   P roc. ,   vol. 1 ( 98 ) ,   pp.   349 – 351 ,   20 12.     [4]   S.  Mann,   e t  a l ,  " Diode  de te c tor  design  for   61  G Hz  subs tra t e  in t egr ated  wav eguide  Six - Port   rad a r  s y st ems , "   201 5  IEE E   Top.  Con f. Wi rel .   S ensors   Sens.   Ne tworks,   WiSNe t   2015 ,   no .   1 ,   pp .   44 – 46 ,   2 015.   [5]   S.  Qa yy um ,   et  a l ,  " Inve stig at ion   of  wideb and  and   high   sensiti v ity  RF   power   de te c tors, "   Eur .   M ic r ow.   W ee k   2014   Connec t .   Fut ur. EuMW  2014   -   C onf.   Proceedi ngs ;  EuMC  2014   44 th  Eur.   Mi crow.   Conf. ,   pp.   758 – 7 61,   2014 .   [6]   A.  S.  Za gorod n y,   et   a l ,  " Model in g  and  applicatio n  of  m ic rowave   det e ct or  diod es, "   in  Inte rnationa l   Confe renc e  of  Y oung  Sp ec ia li st s on  Mic ro/Nano te chno logi es  and   Elec tron   Dev i ces ,   EDM ,   pp.   96 – 99 ,   2013 .   [7]   D.  Pozar ,   " Micr owave   Eng ineeri ng  Fourth  Ed it io n, "   pp .  214 - 220 ,  2005 .       BIOGR AP HI ES OF  A UTH ORS       Moham oud  Mous e  Ali   r ecei ved   h is Ba ch el or   of E ngine er ing  (Com m unic at ion   Enginee ring)   from   Univer siti   Malays ia   Perl is ( UniMA P),  Malay si a, in 2017. H is   rese arc h  int e rests  in c lude   m ic rowave   in te g rat ed   circui ts.                   Ts.   Dr.   S.   Z. Ibr ahi m   was born i n  Li m bang, Sar a wak,   Mal a y sia   i n  1981.   She  has   a  Ba che lo r  of   Engi ne eri ng  in T el e comm unic at i on  from   the Uni ver sit y   of   Mal a ya,   Ma lay si a  in   2 004  and  Mast er  of  Engi n ee rin g  f rom   Univer sit y   Te chno log y   of   Malay s ia i n   200 8.   She   recei v ed her  Ph D de gr ee s   from   Univer sit y   of  Quee nsland   A ustral i a  in   2012.   She  is c urr entl y   working  as  a  sen ior  l ec tur er in  the   Schoo l  of   Co m pute r  and   Com m unic at ion   Enginee ring   at Univers it i  Ma lay sia   Pe rli s,  Malay s ia.  Mos t of he r   rese a rch   i nte rest   is r el a te d   to  m ic rowave   co m ponent s a nd  i ts a ppl ic a ti on .           Dr.  Ism ahay ati  Adam   is a   Lectu rer   a t the   School   of  Com pute r   an d  Com m unic at io n  Engi n ee ring ,  Univer siti   Malays ia   Perl is ( UniMA P),  Malay si a.  Sh e  recei v ed  h er   PhD   in com m un ic a ti on  E ngineeri ng  f ro m   the   School   of C om pute r  a nd   Com m unic at ion  E ngine er ing  a t  Un ive rsiti  Malay s ia Perl is   ( UniMA P),  Malay sia .   She   re ceive d  her   M .   En g   ( E l ec tr ic   -   E lectr oni c  and   Te l ec om m unic ation )   and   B .   Eng   (Hons . )   ( Elec tr ic  -   T elec om m unic ation)  from   Uni ver siti   Te knologi Mal a y sia   (UTM),   Ma lay s ia .   Her   rese a rch   in te r ests  incl ude  an te nn a  and   propa gation,   m ic rowave   components,   wir eless   and  m obil e   co m m unic at ions .           Nureha nsafwanah Khal id   w as  bo rn  on  Dec ember 6,  1993  in  Johor  Bahru,   Ma lay sia .   She  r ecei ved   her   B .   Eng   degr ee  in   Com m unic at ion   Eng ine er in g  from   Univer si t y   Mal a y sia   Perl is  in   Octob er   2016.   She  ob tain ed  M.Sc .   with   th e  sam e  cour se  an d  sam e  insti tut io n  in  2018 .   Her   re sea rch   intere sts  in  Rad io  Frequ e nc y   and   Microw ave   Engi ne eri ng           Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.