Indonesi an  Journa l  of El ect ri cal Engineer ing  an d  Comp ut er  Scie nce   Vo l.   9 , No .   3 ,  Ma rch   201 8 ,  pp.  680 ~ 684   IS S N:  25 02 - 4752 ,  DOI: 10 .11 591/ ijeecs . v9.i 3 . pp 680 - 684           680       Journ al h om e page :  http: // ia es core.c om/j ourn als/i ndex. ph p/ij eecs   Bandp ass filter  B ased on  Ring Re sonator  at RF F requ ency  above 20  GHz       No r fish ah   Ab.  Waha b 1 , A.  A mi ruddin 2 , R oskha tij ah   R adz ua n 3 , Z uha il a Mat  Y as in 4 , N.  A. S alim 5 ,    N.   A. R ah m at 6 , N .  F.  A.  Az i z 7   1 ,2,3,4,5 Facul t y   of  El e ct ri ca l   Eng in ee ring ,   Univ ersiti  T ec hnolog i  M ARA ,   40450  Shah  Alam,   Mal a ysia   6,7 Instit ute of  Po wer  Engi n ee r ing ,   E lectr i ca l   Pow e r  Depa rtmen t, C oll eg e  of   Engi n e eri ng,   Univer si ti   Te nag a  Nasion al,  Malay s ia       Art ic le  In f o     ABSTR A CT    Art ic le  history:   Re cei ved   Sep   2 4 , 201 7   Re vised  Dec  2 7 , 2 01 7   Accepte d  Ja n   1 6 , 2 01 8       Thi s  pape r  p re s ent s  two  dual - m ode  re c ta ngu la r  ring  re sonators ,   designe d  a t  RF   fre quency   a bove  20  GH z   for  bandpa ss   f i lt er   applic at ions .   Th e  f irst  re sonator  is  desi gned  at   20  GH z  using  single   lay e r  m ic rostrip  te ch nolog y ,   on  Rogers  Duroid  TMM10  subs tra te   with   the  fol lo wing  cha r ac t eri s ti cs;  r elati v e  die l ec tr ic   constant  (εr)  =  9. 2,   subs tra te   thickness   (h)  =  1. 270  mm,  die le c tri c   loss ta ngen t  (t an δ)  =   0.   Th e  sec o nd  re sonator   is  b ui lt   using   m ult i l a y er  CMO S   te chno log y   at   7 5  GH z.   The   r esona tor  is  sim ulated  using  fluorinate d  sil ic o n   gla ss   (FS G)   and  sili cone   ri ch  oxide   (SRO )  with  re lative   di elec tr i c  consta nt   (εr)  equa ls  to  3. 7   and  4. 2  re spec tivel y .   Both  f il t er  designs  are   built   using  ful l - wave   el e ct rom a gnet i c  sim ula ti o n  tool .   For  fil te r  design  using  m ic rostrip  te chno log y ,   the   re turn  loss  is  fo und  at   9. 999  dB  and  the   insert io n  loss  is   at  3. 108  dB  whi le  for  filter   design  using  CMO S  technolog y ,   the  re turn  loss  is   found  at   11. 299   dB  and  the   i nserti on  loss  at   0. 335  dB.  Both   re sults  had  show n  good  passband  per form a nce   wi th  high   r ej e ct ion   le v el  at  the  out - of   band.   Ke yw or d s :   Du al - m od e b a ndpass  f il te r   CM OS  tech nolog y   Mi cro strip  tech no l og y   Ri ng   res on at or   Copyright   ©   201 8   Instit ut e  o f Ad vanc ed   Engi n ee r ing  and  S cienc e .    Al l   rights re serv ed .   Corres pond in g  Aut h or :   Norf is ha h Ab.  Wah a b ,    Faculty  of Elec tric al  Engineer ing ,     Un i ver sit i Tec hnologi M ARA,     40450 S hah A l a m , Mal ay sia .   Em a il :  fishah@sala m .u itm .e du.m y       1.   INTROD U CTION     Ba ndpass  filt er   is  well   kn own   as  on e  of  the  essenti al   com po ne nt  at   the  fron t - en d  syst em   in  wireless  com m un ic at ion   an d  RF  syst e m .  A m on gst   the  popula r  re so na tor s  us e d  in  RF  m ic ro w ave  ap plica ti on   are   coax ia l  res on a tors,  diele ct ric   res on at or s;   surface  aco us ti c   wav e   ( SAW) ,  yt triu m   iron  ga rn et   (YI G)  cr yst al   resonato rs  a nd   ceram ic   resonato rs.   U nd e rs ta nd in g  eac h  c har act erist ic   of  di ff e ren t  res on at or s   is  a  m us t  in   order   to  desig n  good  filt ers.  Advan ci ng   th rou gh   the  di gital   wo rld ,  ther e  are  a  lot  of   ob sta cl es  nee d  to   be   consi der e d  as  the  trend   now adays  are  towa rd s  the  5  G  te chnolo gy.  H ence,  the  exist ing   te ch niques   and  topolo gies  m a y  be  fu rt her   e xp l or e d  to  fit  into  the  5  G  ne twork  syst em   [1 -   3].  In   te rm s  of   topol og ie s ,  ring   resonato r  ca n  be   ex plo it ed   due   to  t heir  l ow  l oss,  c om pact  siz e,  hi gh  f re qu e nc y  sel ect ivit y  and  hi gh q ualit y  ( Q)  factor pe rfo rm ance  wh ic h  a re  v it al  in  t he  e voluti on  of futu r e w irel ess  co m m un ic at ion  syst e m  [ 3].    An   or igi nal  re search  propos ed  on  du al - m od e  rin g  res on a tor  was  fam il i arized  first  by   Wo lf f  a nd  Kno pp i k  f or   m ic rowav e  s ubst rate  m easur e m ent  [ 4].  More  researc h  on   du al - m od e  band pa ss  filt er  ha ve  been   pr ese nted   sinc e  then   s uch  as   re ported  i n  [ 5 - 8]  that  al lo wed  f or  va rio us   par am et ers  to  be   in vestiga te d  a nd   der i ved,  inclu di ng   th e  tran sm issi on   po le s ,  tr ansm issi on   zer o  an d  t he  res onance   f reque nc ie s.  In  the  ca se  of  couplin g  co ns t ant,  the  e ve n/odd   res on a nce  f reque ncy  locat ion s  a re  util iz ed  us i ng  lum ped   capaci t or s  [9 - 10] .   Be sides  this ,  t her e   are   se ver a l  ap proach  pro po s ed   to  desi gn  a   com pact  dual - m od e  band pas s  filt er  us in g  high - Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Ba ndpass fi lt er Ba se d o n  Ri ng Reson ato r  a t  RF Fre qu e ncy   above  20  GHz   ( Norfi sh ah A b. Wa hab )   681   per m it t ivit y  m at erial s  an d  va riat ion   of  t he   rectan gula r   ri ng  la yo ut  [ 11 - 13] .  T he   ada ptati on  of  c ou pling   capaci ta nce  a nd  f reque ncie s  filt erin g  ca n  al s o  deliver   va ried  a ppli cat ion s  i n  m icr owa ve  ci rc uits  ove r   al te rati on s  in  e le ct rical   le ng th   by  m eans  of   ty pical   du al - m od e  do ub le   ri ng  filt er  desig n  wh e re by  the  fi lt er  is  dev el op e d fro m  sing le  r ing c onfig ur at io ns t o dou ble r i ng s tructu res [1 0],  [14].   Hav i ng   sai d  th ese,  it   m a y  be  us ef ul  to  al so   exp l or e  in  the  fiel d  of   IC  ci rcu it s,  w her e by  cost  o f  filt er  and   the  occupi ed  volum e  can  be  reduce d  further.  Com plem entary  m et a l  ox i de  sem ic on du ct or   (CM OS)  has  a  gr eat   integ rati on   prof ic ie ncy   towards  inc orporati ng  both  m illim e te r  wav e  as  well   as  dig it al   ci rcu it s  i nto   on e   sing le   c hip  in   order  to   achie ve   lo w  c os t  for  the  m ass  m anufacture   as   well   as  pro du ct io n  [14 - 16] .  In  te r m s  of   band pass  filt er  desi gn,  it   en ha nced  the  pro duct ion  of  a   m i l lim e te r  wa ve  wh ic h  is  e xten sively   us e d  in   wireles s   com m un ic at ion   syst em s.  Fo r   instance ,  a  m i ll i m et er - wa ve  CM OS   on - chi p  passi ve   filt er   was  discu ssed   in  [ 15]   and   m il l i m e te r - wa ve  CM OS - base d  ba ndpas s  filt ers  by  m e ans  of  sm all  i ns erti on - loss  wer e  propose d  in  [5 ] ,   [17].  Eve n  though  desi gn i ng   on   m ic ro strip  is  m uch   easi er  as  the  m at erial  are  easi ly  ob ta in  wh il e,  desi gn i ng   on   CM OS   te c hn ology  m igh t  be  a  bit  hustl e  as  few   i ns ti tuti ons  has  t he  capab il it y  on   handlin g  the  m at eria l   it sel f.  How e ve r,   on the  brig ht side, C MOS  c an be  pro du ce d i n  m ass p r oduc ti on  at a  lo we r  c os t.   The  c oncer n  he re  is  t hat  the r e  has   ye t  existe nce  of  a  filt er  desig n,  e xplo re d  a nd  im ple m e nted   both   on   m ic ro strip  a nd  CM OS   te ch nolo gy.  I n  t his  pa per ,   we  pr esent  the  desi gn   an d  a naly sis  of   a   dual   m od e  rectan gu la r  rin g  res onat or   t ha t  us ed  the  to po log y  in  [ 18] .  In  this  work,  the  topolo gy  is  ex plored  for  m ic r os trip   and  CM OS  te c hn ology  for  m uch  hi gher  fre qu e ncy  t hat  is  app li cable   f or  5  G  netw ork   s yst e m .  The  res on a nce   fr e qu e ncies  of  these  filt ers   ar e  ch os e n  at   20  G Hz  a nd  75   GH z .    At  20  GH z ,  the   filt er   is  desi gned   on  si ng le   la ye r  m ic ro strip  te chnolo gy  wh il e  at   75   G Hz,   the  filt er  is  p r opos e d  on  m ul ti   la ye r  C MOS  te chnolo gy.  Bot h  desig ns   are  si m ula te d  us in g  fu ll   wa ve  sim ulator  an d  res ults  had   s how n  good  perform ance  in  te rm s  of   return  loss a nd inse rtion l os s  w it h hi gh freq ue ncy s el ect ivit y.       2.   RESEA R CH MET HO D     Ex plainin g  r es earch   ch ron olog ic al ,  incl ud i ng  r esearc h  des ign ,   resea rc h  proce dure  (in  the  f or m   of  al gorithm s,  Ps eudoc od e  or   ot her),  ho w  to  te st  and   data  acq uisit ion   [ 1],  [3] .  The  descr i ption   of  the  co urse  of   researc h  s houl d  be  s upporte d  ref e re nces,  so  the  e xp la natio n  ca n  be  acce pted  sc ie ntific al ly   [2 ] ,  [ 4] .   V ario us   researc h  an d  s tud ie s  ha d  be en  co nducted  to  gain  neces s ary  insigh t  an d  inf or m at ion   sp eci fical ly   on   the  te chnolo gies  use d,   tra ns m issio n  li ne ,  re sona nce  f reque ncy  and   t he  te ch ni qu e s  im ple m entat ion .  Ty pical ly ,  the  com m on   par a m et e rs  inv ol ve d  w he n  desi gning   band pass  f il te r  are  insert ion   lo ss,  ret urn  loss ,  tran sm issi on   zero,  tran sm iss ion   po le s ,  f racti on al   ba ndwi dth   an d  c ouplin g.  In   t his  w ork,   two  ty pes  of   ba ndpass  filt ers  with   diff e re nt r es on ance  fr e qu e ncy  are pr opose d h ere.    The  fir st  desi gn  is  propose d  on   R ogers  D uroid  TMM 10   usi ng   m ic ro strip  te chnolo gy  with  relat ive   diele ct ric  con st ant  (εr)  =  9.2,  su bst rate  thick ness  ( h )  =  1.2 70  m m ,  diele ct ri c  loss  ta ng e nt  ( ta n  δ)   =  0.0 023  an d  op e rati ng  f requen cy   at   20  G Hz.   T he  sec ond  desi gn  is  pe r f orm ed  on   CM OS   te ch nolo gy.  The  m at erial s   us e d  are  flu or i nated   sil ic on e  glass  (F S G)   with  rel at ive  diele ct ric  con sta nt  (εr)  =  3.7  an d  sil ic on e  rich  ox i de  (S RO )  with  relat ive  di el ect ric  con sta nt  (ε r)  =  4.2.  These   m at erials  was   ob ta ine d  from   the  CM OS18  FS G   sta n da r d  process  t hat  of fer s  a  sin gle  poly   with  th ree   la ye rs  m e ta l  (3 LM) ,  f our  la ye r  m e ta l  (4 L M),  fi ve  la ye r   m eta l   (5 LM ) or si x  la ye r  m et a l (6 L M).   Bot h fil te rs  are  desi gn to m eet  sp eci ficat ion s  as s how n  i n  Ta ble I.       Table  1.   Desig n  S pecifica ti on s for  Ba ndpa ss   filt er   Para m eter   Sp ecif icatio n   Retu rn Los s, S 11   <   1 0  dB   Ins ertion  L o ss ,  S 12   >   3  dB             Figure   1 .  (a )  I de al  circuit o f  t he  dual - m od e r e ct a ngular rin g band pass fil te r t opology,      ( b)  Ba ndpas s fi lt er d esi gne d usin g  m ulti  layer  CM OS Tec hnol og y   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vol .  9 ,  No.  3 ,  Ma rc h   201 8   :   680   –   684   682       Figure  1( a )  s hows   the   to po l ogy  of  t he  2 nd   orde r  band pass  filt ers  us i ng  two  ri ng s   res on at or .   F ig ure   1(b)   in dicat es  the  first  la ye r  of  the  two  recta ngular  ri ngs  wi th  CM OS   te ch no l og y.  T he  gr ound  pa nel  is  fo rm ed   by con necti ng  M1 a nd M2  t oget he r wh il e th e top m et al , M 6  is  where t he desig ne d  str uct ur e  is p la ce d.       3.         RES ULT S  A N D ANAL YS IS   Figure  2( a )  di sp la ys  the  si m ula te d  res pons e  on  dual   m od e  band pas s  filt er  us i ng  m ic ro strip   te chnolo gy  at   20  G Hz.  Ba se d  on  the   sim u la te d  res pons e ,   it   show n  res onance   f re qu e nc ie s  are  obta in ed  at   19.34  G Hz   a nd  20. 95   G Hz.   At  20   G Hz,   th e  center  f reque ncy  of   S 11   is  9.999  dB  a nd   t he   insertio n  loss ,  S 12   is   3.108  dB.  T he re  are  t w o  tra ns m issi on   zer oe s  ex ist   at   the   fr e quencies  of  18. 74  GH z  a nd  21. 79  G Hz .  Th e   transm issi on   zero   at   18.74  G Hz  is  25. 546  dB   wh il e  at   21. 79   G Hz  the  tra ns m issi on   zero  is  23 . 603  dB.  On   t he   oth e r  ha nd,  the re  al so   exist  tw o  res on a nce  f r equ e ncies  at   19. 61   GH z  a nd   20.50  G Hz.   T he   at te nu at ion   l evel  of   the  res on a nce  fr e qu e ncies  ar e  14.51 5  dB  a nd   14. 649  dB  resp ect ively .  T he  filt er  desi gn  gi ves  a  f racti on a l   band width o f 8 .05%.                Figure   2 .  (a )  Si m ula te d  res ponse  of  2 nd   or der   band pass fil te r usin g  t wo r in gs o n  m ic ro strip   te chnolo gy at  20  GH z , (b )  Lay out de sig n  f or  dual   m od e recta ngular  r in g  at  20 GHz       The  ideal   to po log y  of  the  ring   ci r cuit  is  transfo rm ed  into  distri bu te d  e lem ent  and   fi na l  la yout  is   disp la ye d  in  Figure  2(b ).   T he  la yout  cl early   sh ows   tw o  rect angular   rin gs   with  50Ω  tra nsm issi on   fee d  li ne  a nd  al so   couplin g  li ne.   This  filt er  desig n  is  pro po s ed  on  m ic r os trip  te ch nolo gy,  us in g  Ro ge rs  Du r oid   T MM1 0  su bst rate  s pecifica ll y  bu il t  to  be  us e d  in   RF  app li cat io ns   sy stem s  with  the   f ollow i ng  cha racteri sti cs;   relat iv e   diel ect ric  con st ant  (ε r )  =  9.2,  s ub st rate  thickne ss  ( h)   =  1. 270  m m ,   diele ct ric   loss  ta ng e nt  (tan  δ)   =  0.0 023  and  op e rati ng fre quency at  20  G H z.        Table  2.   Fil te r’s Param et ers  on  Mi cr os trip  T echnolo gy at  20  GH z   Para m eters   Di m en sio n s (u m )   W0   434   WC   467   LC   6440   S2   350   W1   436   L1   4466   L1a   6440   L0   3680   W2   436   L2   4466   L2a   6440       Ba sed  on  the  dim ension s  in  T able  2,   le ng t h  of   c ouplin g  li ne s,  top   rin gs   as   well   as  the  bo tt o m   ring s  need   t o  be  the  sam e   in  or de r  for  the  rin g  to  be  in  a  sym m e tric al   sh ape.   L 1a   in dicat e  le ngth  of  the  to p  rin gs ,  L2 a   ind ic at e  th e  bo tt om   ring s an d  LC   in dicat e  the  couplin g  le ng th w hic h  a ll   m easur e  as  64 40 um   with  the  gap  couplin g,   S2   of   350um .  Para m et ers  L1   an d  L2   both  s ho w  the  le ngth  of   th e  rin g  si de  w hich  is  4466 um  resp ect ively .   T he   le ng t hs   of  t he  si de  al s o  ne ed  t o  ta ke   int o  acc ount  a s  t o  m ai ntain  the   rectan gula r  s hap e .   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci     IS S N:  25 02 - 4752       Ba ndpass fi lt er Ba se d o n  Ri ng Reson ato r  a t  RF Fre qu e ncy   above  20  GHz   ( Norfi sh ah A b. Wa hab )   683   W i dths  of   the  rin gs   are  al l  design at e d  by  w .  The  seco nd  design   of   ba ndpa ss  filt er  is  pro po se d  at   75  GH z .   Figure  3(a)  s hows  t he  sim ula te d  res pons e  on  dual   m od e  ba ndpas s  filt er  us in g  CM OS   t echnolo gy  at   75  G Hz   on   a w ide r  ra nge  in w hic h  th e  nex t  fi gure wi ll   sh ow   the  e nhance d  respo nse   on   m or e  s pe ci fic  fr e qu e ncy   range.  Tw o  r eso na nc e  freq ue ncies  are  fou nd  at   71  GH z   a nd  79   G Hz  with  38. 397  dB  a nd  27. 191  dB  res pe ct ively .   The   at t en uatio n  le vel  of   t he  i ns erti on  l os s  at   75  G Hz  is  fou nd  at   0.3 35  dB .  The   tran sm iss ion   ze ro  f reque ncies  are  obta ine d  at   56   G Hz  a nd  100  G Hz  re s pecti vely .  The   m ark ers  at   m4   an d  m5   sig ni fy  the  le vels  of   bo t h  transm issi on   z ero es   of  a f or e m entioned  f re qu e ncies  at   45 .906  dB   an d  8.4 71  dB   res pe ct ively .  The   f r act ion al   band width   of  this  filt er  is  ar ound  24%  sli gh tl y  hig her   t ha n  that  of   t he  fi rs t  filt er.  The  la youts  al on g  wi th  the  dim ension s of ev ery el em ent  of  the  band pas s f il te r  are d isp la ye d  on  Fig ur e 3 ( b)  and Ta bl e  3  resp ect ivel y.   The  le ng th s, widt hs an d gap o f  t he  seco nd f il te r f ollow t he sa m e  labels  with the  f irst  filt er as  i n  Fi gure  2(b ).              Figure   3 .  (a )  E nh a nce  sim ulated   respo ns e  of  the 2 nd   orde r b andpass  f il te r u sing t w o  ri ngs  on CM OS  te chnolo gy at  75 GHz,  (b) La yout  desig n for  dual m od e rec ta ngular rin g  at  75 GHz       Table  3 . Fi lt er’s Dim ensio ns  on CM OS Tec hnology at   75  GH z   Para m eters   Di m en sio n s (u m )   W0   80   WC   80   LC   650   S2   35   W1   80   L1   730   L1a   650   L0   650   W2   80   L2   730   L2a   650       Table  4.   Su m m arized Meas ur e d  Re s pons e  of  the Dual M od e   ba ndpass  f il te r   Re ct angular  Ri ng   Usi ng  Mi cro strip  and  CM OS  T ech nolo gies   Para m eters   2 - ring s u sin g   m ic r o strip  techn o lo g y   (a)   2 - ring s u sin g  CMOS  tech n o lo g y     (b)   Cen tre  Frequ en cy    , f o   2 0  GHz   7 5  GHz   Retu rn lo ss  ( S 11 )     Ins ertion  los s   (S 12 )   9 .99 9  dB   3 .10 8  dB   1 1 .29 9  dB   0 .33 5  dB   Fraction al Ban d wi d th  ( FBW)           FB W =  ( f L   –   f U )/   f 0         FBW=  (19 .34  GH z - 2 0 .95  GHz) /2 0   GHz=  8 .05  %   FBW=  (68  GHz - 8 6  GHz) /7 5 GHz=   2 4  %   Tr an s m iss io n  ze ros  ( d B)      Lower  f requ en cy   Hig h er  trans m iss io n  f requ en cy     f   1 8 . 7 4 GHz   = 25 .54 6   f 2 1 . 7 9 GHz     = 2 3 .60 3     f 5 6 GHz   = 45 .90 6   f 1 0 0 GHz   = 8.4 7 1       Table  4  s umm arized  the  s i m ulate d  respon s es  an d  pe r form ances  of   the  rin g  res on at or s  us in g  m ic ro strip  a nd   CM OS   te c hnologies  re sp ect ively .  Ba sed  on  the   res ults  obta ined ,  bo t h  r eso nators  ha d  sh ow n  acce ptable  pe r form ance  fo r  band pass  filt er   app li cat ion s .  The  re s on at ors  achieve d  good   sel ect ivit y  with  transm issi on   zero es  at   the  stopba nd   a nd   tw o  transm issi on  po le s  in  the  pa ssb a nd   re gion .  The  re j ect ion  le vels  Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                          IS S N :   2502 - 4752   Ind on esi a n  J  E le c Eng &  Co m p  Sci,   Vol .  9 ,  No.  3 ,  Ma rc h   201 8   :   680   –   684   684   for  the  re sonat or s  e xcee ding  20   dB  w hich  i nd ic at e  go od   r ejecti on  le vel.  In   te rm s  of   bandw i dth ,  t he  res on at or s  are s uitable  to   be use d  f or  narrowba nd a ppli cat ion  si nce the  f racti onal   ba ndwidt hs  a re le ss tha n 30%.        4.         C ONCL US IO N   In   a  nutshell ,  two  band pass  f il te rs  wer e  pr e sented  usi ng  dual - m or e  rectangula r  res onat or   as  a  base   cel l.  The  first  filt er  was  desig ned   at   20  GH z   us ing   sin gle  la ye r  m ic ro strip   te chn ol og y  w hile  the  second   filt er  was  desi gn e d  at   75   G Hz  us i ng   m ulti la ye r  CM OS   te chnol og y.  B oth   filt ers  we re  su cces sfu ll y  si m ulated   wit h  acce ptable  res pons es  in  te r m s   of   insertio n  loss  an d  ret urn  loss.  In   vi ew  of   t he  e xperim ental  resul ts,  this  arr a ng em ent  s chem e  reali zed  a  filt er  no t  on ly   with  high   sel ect ivit y  an d  s harp  sk irt   but  al so  com pact  siz e,  good  perform a nce a nd sim ple  d esi gn and t he refor e  is possi bl e to b e  appli ed  at high  fr e que ncy ab ove  20  GH z .        ACKN OWLE D GE MENTS     This  wor k  wa s  sup ported   by   Faculty   of   Ele ct rical   En gine erin g,   U niv e r sit i  Teknolo gi  MARA  a nd  In sti tute  of  Re search  Ma nag e m ent  and   I nnovat ion   (I RM I )  of   Un i ver sit i  Tek no l og i  MA RA  (Gra nt  no:  600 - RM I/DANA 5/ 3/LEST ARI  (7 2/2015 ).       REFERE NCE S   [1]   El ah e  Moham m adi ,   H abi b  Gho rba ninejad,  “ Novel  Resonan t  S truc tur e  to  Co m pac t  Partial  H - Plane   Band - P ass   W ave guide   Filt e r, ”  Inte rnat ional  Journal  of  El ec t rical   and  Comp ute r  Engi nee rin g  ( IJ ECE ) ,   Feb  2017,   vol.   7,   no.   1,   pp.   266 - 270 .   [2]   Zha ng,   Pingju a n,   and  Minqua n  Li ,   " A  Nov el  Compact  Mic ros trip  Low pas s   Fi lter  wit h  Sharp  Tr an siti on  and   Impr ove d  Stopb and, "   Indon esian  Journal  o f El e ct rical E ng ineering  and  Compute r Sc ie n ce ,   13 . 1  ( 2015):  pp  85 - 90 .   [3]   K.  Chang   and   L. H.   Hs ie h ,   Mi cro strip  Ring   Circ u i ts  and  R elate d   St ruc ture s.   New   Y ork:  W il e y ,   2004 .   [4]   I.   W olff  and  N.   Knoppik,   “ Microstri p  ring  re so nat or  and  d isper sion  m ea surem ent   on  m ic rostrip   li nes,”  Elec tron .   Lett . ,   De c  1971 ,   vol.   7 ,   no .   26 ,   pp .   779   781.   [5]   A.  C.   Kunda   and   I.   Aw ai,  “ Contr ol  of  at t enua t ion   pole   fre quen c y   of  a  du al - m ode  m ic rostrip  ring - r esona tor  b andpas s  fil ter,”  IE EE Tr ans.  Mic row .   The ory  Tech . ,   Jun   2 001, ol. 49, no. 6, pp. 1113 – 1117.   [6]   M.  Matsuo,   H.  Yabuki,   and  M.   Makimoto,   “ Dual - m ode  stepped  impedanc e  r i ng  re sonators  f or  bandpa ss   fil t er  appl i ca t ions,”  IE EE   2001 . Tr ans. Mic row.  Theory   Tech. ,   Jul 20 01 , vol.   49 ,   no .   7 ,   pp .   1235 – 1240 .   [7]   B.   T.   Ta n ,   S.  T .   Chew,   M.  S.  Le ong,   and  B.   L.   Ooi,   “ A  dua l - m ode  bandpa s s  fil te r  wi th  en hanc ed  ca p ac i tive   per turbation,”  I E EE   Tr ans.  Mi cro w.   Theory   Tech . ,   Aug.  2003 ,   vo l.  51,   no .   8 ,   pp .   19 06 – 1910.   [8]   M. - F.  Lei  and  H.Wang,   “ An  ana l y s is  of  m ini a turi z ed  dual - m o de  bandpa ss   fi lter  struct ur e  usin g  shunt - ca pa cita nce  per turbation,”   IEE E  Tr ans.  Mic row.  Theor y  Tech. ,   Mar.   2005,   vol.  53,     no.   3,   pp.   861 – 8 67.   [9]   Kai  Chang , ”   Mi cro wave   Ring  C i rc uit s  and  Ant en nas” ,   J .   W ile y   &   Sons ,   1996.   [10]   L. - H.  Hs ie h  and  K.  Chang,   “ Dual - Mode  quasi - el liptic - fun ct ion  ba ndpass fi lt ers  using r ing  re sonators  with  enha nce d - coupl ing   tuni ng   stubs,  “   IEEE  Tr ans.  Mic rowav e T heory   Tech . ,   Ma y   2002,   vol .   50 ,   pp.   1340 - 1345.   [11]   Michi aki   Ma tsuo,   Hiro y uk i  Ya buki,   and  Mitsu o  Makimoto,   “ Dual - m ode  Steppe d - Im peda nc e  Ring  Resonat or  for  Bandpa ss   fil t er  Applic a ti ons“   IEE E  Tr ansacti o ns  on  Mic rowav e  Theory  And   Techni qu es ,   Jul y   2001,   vol . 49,   no . 7 ,   pp1235 - 1240.   [12]   Man - Long  Her,   Quei - Min  Li n ,   Kun - Ying  Li n,   Ying - De  W u,   an d  Y u - Li n  W ang,  Dual -   m ode  and   thre e - tra nsm ission - ze ro  bandstop  filter  with  cl osed - l oop  ring  re sonators,   Mic rowave  and  Optic al  Tec hnology   Lett ers ,   2005,   vol.   44,   No.   2,   pp .   114 - 118 .   [13]   Si - W eng  Fok,  P edr o  Cheong,   K am - W eng  Ta m ,   and  Rui  P  Marti ns,  A  novel   m ic rostrip   squar e - loop  dua l - m ode   bandpa ss   fil te r  with  sim ult ane o us  size   re ducti on  and  spurious  re spons e  sup pre ss ion,   IEEE   Tr ansacti ons  on  Mic rowave   Theo ry  and  Tech nolo gy ,   2006 ,   vo l. 54 ,   No.   5,   pp.   2033 - 2041.   [14]   S.  Sun,  J.  Shi,  L .   Zhu,   S.  Rust agi ,   and  K.  Moutha a n,   “ Mill imeter - wave   bandp ass  fil t ers  b y   st anda rd  0. 18 - m m   CMOS  te chno log y , ”   IE EE   El e ct ron De v ic e   Lett . ,   Mar. 2 007,   vol .   28 ,   no .   3,   pp .   220 – 222 .   [15]   C.   H.  Doan ,   S.   E m ami,   A.  M.  Ni knej ad ,   and   R.   W .   Broder sen,   “   Design  of  CMO S  for 60 - GH z appl ic at ions , ”   in  Pr oc.  IEE E   Solid - Sta t e  Cir cui ts  Conf . ,   2004,   pp.   440 – 4 41.   [16]   M.  Miao  and  C.   Ngu y en,   “ A  novel   m ult i layer  ape r ture - cou ple d  c avi t y   re s onat or  for  m il l i m et er - wave   CM OS  RF ICs,”   IEEE  T rans .   Mic row.   Theory  Tech . ,   Apr .   2007 ,   vol .   55 ,   n o.   4 ,   pp .   783 – 78 7 .   [17]   Tua n  Anh  Vu ,   Minoru  Fujish ima ,   A  300   GH z  CMO S  Trans m it te r  Front - End  for  Ul tra h i gh - Speed  W irel es s   Com m unic at ions,   Inte rnational   Journal  of  El ect rical   and  Computer  Engi ne erin g  ( IJ ECE ) ,   Aug.   2017,   v ol.   7,   No.   4,     pp.   2278   –   2286 .   [18]   N.  Ab.  W aha b,   N.  Hida y at ,   Z.   I sm ai l  Khan,   Z.   Mat  Yass in,   N.  A.  Sali m ,   Noriz a  Othm an,   M.  K.  M.  Sall eh ,   “ Two  Para llel - coup le d   Rings  for  Narr ow  Bandpa ss   filter  Appli ca t ion,”  Journal  of  Te le communic a ti o n,   Elec troni c  an d  Computer  Engi n ee ring ,   2017,   vo l.   8 ,   no .   373 .   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.