TELKOM NIKA , Vol.11, No .11, Novemb er 201 3, pp. 6673 ~6 678   e-ISSN: 2087 -278X           6673      Re cei v ed Ma y 6, 2013; Re vised June  2 3 , 2013; Acce pted Jul y  25,  2013   Electronically Tunable Impedance-Matching Networks  for Intelligent RF Power Amplifiers      Liang Li, Taijun Liu*, Yan Ye, Xiaojun  Luo, Gang Cao, Xiaofeng  Guo, Ming Hui   Coll eg e of Information Sci enc e and En gi neer ing, Ni ngb o Un iversit y , 8 18 F e ngh ua R oad, N i ng bo, Z heji a n g ,  315 21 1, Chin a   *Corres p o ndi n g  author, e-ma i l : liutaij un @nb u .edu.cn       A b st r a ct     T h is pap er p r esents the  si mu lati on a nd  opti m i z at ion  d e sig n  of the   electro n ica lly t una bl e   impe danc e- ma tching n e tw orks for intelli g ent RF pow er amp lifiers i n  a cogn itive  radio syste m .   Reco nfigur ab le  ele m e n ts, such as varacto r s and RF  sw itches are u t ili z e d to ac hi eve the dy na mi c   impe danc e  ma tching  both i n  t he i nput a nd  o u tput  matchi ng  circuit, provi d i ng co arse a nd  fine tun i n g  of th e   target i m pe da nces w i th low  loss and exc e lle nt i m pe da n c e covera ge f r om 5 00M H z   to 800MH z .  T h e   topol ogy of var a ctor mo de l  is illustrate d to ensur e the pre c ision of  si mu l a tion. In add iti on, hig h -prec i s i on   bias v o ltage controlli ng system  is  designed  to improve t he  nonlin ear pr oblem  c aus ed by  the varactor. The  simulati on  res u lts d e m onstr ate the  exc e ll ent p e rfor ma n c e of th e tu nab le  netw o rk s, satisfying  th e   requirem ent of the c ognitive radio system s.      Ke y w ords :  co gnitiv e  radi o systems, varacto r , RF s w itch, i m p e n denc e- matchin g  netw o r k       Copy right  ©  2013 Un ive r sita s Ah mad  Dah l an . All rig h t s r ese rved .       1. Introduc tion  Curre n tly, with the  rapid   developm ent  of  wi rele ss  com m uni cat i on s e rv i c e,   su ch a s   wirel e ss lo ca l area n e two r k  (WLAN) a nd wi re le ss person a l are a  netwo rk (WPAN), with  an  increa sing   n u mbe r   of pe ople acce ss to  the  Intern et throu gh  WLAN,  WPA N , the  sp ect r um  resou r ces b e c ome le ss an d less, bringi ng the pro b le m of the sca rcity of radio electroma gne tic  s p ec tr um [1 ]. C o gn itive   R a d i o  s y s t em c a n  mon i to r  th e  us age  o f  sp ec tr um r e s o urc e s b y   spe c tru m  se n s ing a nd intell igent and  systematic  lea r ni ng, adju s ting the transmission paramete r s  dynamically to use the  sp ectru m  re sou r ce s effi cie n tly. Cognitive Radi o System can ma ke  full  use  of the idl e  sp ect r um  reso urce s in ti me and  sp ace, so a s  to  solve the prob lem of spe c trum  resou r ces ten s ion effe ctively.  RF  power am plifier i s  the   mo st  power consumption  a nd mo st expe nsive key co mpone nt  in wir e le ss  co mmuni cat i on  sy st em [ 2 ] .  A s  f o r  Co g n itive Ra dio  syst em, RF p o we r amplifie r u s ed  sho u ld  be  a b le to  be tu ned to  any  operating f r e quen cy rapid l y among  th e coverin g  b and.   Therefore,  the  re sea r ch  on  vara cto r s an d  RF  Switche s –tu n ed el ect r oni cally imped an ce  matchin g  net works are  suitable for th is kind of  RF powe r  am plifier, havin g some reali s tic   signifi can c e i n  the con s tru c tion of Co gni tive Radio sy stem.   The main th ought s of this pap er focus on introd ucin g re confi gura b le elem ents to  achi eve the  dynamic imp edan ce  matching b o th in  t he inp u t and   output mat c hi ng ci rcuit of  RF  power  amplifi e r in  Cognitiv e  Radio  sy ste m  [3], t he p r o posed m e tho d  can  gre a tly redu ce  the  si ze  and  circuit  co mplexity of ci rcuit. Alo ng  with the matu rit y  of RF tu nab le compo nent s, the  cove rin g   rang e of impe dan ce matchi ng network wi ll becom e wid e r [4].  This paper i s  organized as  follows: In  section II, descript ion i s  m ade on the previous  works, in a ddi tion, both the  theory  a nd  th e  structu r e of our wo rk  are  given. At the  same  time, it  is   necessa ry to kno w  the cha r a c teri stics of vara cto r s. A desi g n methodol o g y for tuna ble   impendence  matching net work is  proposed in section III, with the method of designing high- pre c isi on bia s  voltage co ntrolling  syst em whi c h is done to improve the no nlinea r pro b l e m  cau s e d  by vara ctor. Se ction IV describes the  exp e rime ntal re sults of elect r onically tune d   impeda nce m a tchin g  net works a nd the  high-preci s io n bia s  voltag e su pplie r. Finally, applications  of the desig n are di scusse d, following a  brief co ncl u si on.      Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                               e-ISSN: 2 087-278X   TELKOM NIKA  Vol. 11, No . 11, Novemb er 201 3:  667 3 – 6678   6674 2. The Propo sed Me thod    Traditio nal  broadb and  RF   power amplifi e r m a tc hi ng t e ch niqu es ca n be  cl assifie d  into  three  cate go ri es: T he first  method i s  to   use  the  novel  tran sformer-matchin g n e tworks a nd  active   matchin g  to increa se the  width of PAs’  freque nc y re spo n se. With  the advanta ge of solving  the  probl em of la rge o p timal i m peda nce ch ange s, but  brings a l o wer  efficien cy an d output po wer,  and the maxi mum output p o we r will cha nge a c cordi n g to different frequ en cy [5].  The  se con d   way i s  to d e si gn the  multi-b and m a tchi ng  network for  both inp u t an d outp u t  port, depe ndi ng on the RF switche s  to chang e wo rking state s  a nd improve t he output po wer  and PAE effectively, with the disadvant age of much more  compl e x circuit [6].  The third ide a  that use d  in  this pap er i s   to introdu ce  reco nfigurable  element s to achi eve  the dynami c  impeda nce matchin g  bot h in the i npu t and output  matchin g  circuit. Althoug h it  requi re s m u ch high er  abili ty of quick tu ning  (fre q uen cy agile ) [7],  the si ze  an d complexity of  matchin g  net works are   re duced sig n ificantly,  in  ad dition, the  efficien cy a nd  output p o wer are  both gua rant eed.   Usually,  π -an d   τ -type stru ctures a r e utili zed to achi ev e a wide tuni ng ran ge [8-1 1], but  a   cert ai n kind   o f   sep a r a t e  st r u ct ur e ha s  a  cert ai n frequ ency  ra nge  a nd b and width  co nst r aint s f o r  the power am plifier in pract i cal ap plicatio ns.   Powe r a m plifiers al ways  work  with hi gh  po we r, there f ore,  DC bl o c k cap a cit o r must  be  use d  to  prevent the  DC v o ltage to  imp a ct  syst em.  T h is  pap er ha s ado pted  a  combinatio n of   π - and  τ -type structure  after many  experi m ents, the m a in prin cipl e is sh own in Figure 1.           Figure 1. Structure of Tu na bl e Impend en ce Mat c hing  Network      The ju nctio n   cap a cita nce  of vara ctor i s  det ermi ned   by the bia s  v o ltage p r ovid ed, wh en   the reverse b i as on the PN junctio n  is chang ed,  the capa citan c e of it will be  influence d . The   highe r  reverse bia s , the  l e ss ju nctio n   cap a cita nc e,  the relation ship b e twe en  the reverse  bias  and j u n c tion  cap a cita nce i s  n onlin ear.   Therefore,  at tention  sho u l d  be  p a id to   the a c curacy  of  reverse  bia s  l oade d on th e  varacto r   whe n  usi ng it. As  a re sult, the a c curate  vara ctor mod e l mu st  be ma de  accordin g to th e  approp riate i ndicators a n d  paramete r s i n  the A D S20 08 [12], throu gh  model  buildi n g, the relatio n shi p  b e twee n bia s  volta g e  an d the  correspon ding  capa citan c e v a lue  coul d be a c hi eved, and the  target value can b e  rea c h ed by addin g  pre c isi on bia s  voltage finally.      3. Rese arch  Metho d   3.1. High-Pre c ision Bias  Voltage  Con t rolling Sy stem  A high-preci si on bi as voltage  cont rolling system  i s  designed  by usi ng the high-preci sion   10-bit  digital  potentiomete r. First, the in put volt age i s  conve r ted to  the tuning  voltage  rang e  (0- 30V) of varactor thro ugh th e DC-DC  co n v erter (LM2 5 76). In the  circuit, seve ral f ilter ci rcuits a r e  utilized  to red u ce  noi se s  a nd  ripple s   of t he o u t put volt age, e n surin g  the  stability  and  relia bility o f   output voltag e. Then A R M7 chip (A DuC7 026 ) ut ili zed  help s  to  cont rol the  acce ss  re si stance  dynamically t h rou g h  the S P I interface  p r otocol  adju s t i ng the  outp u t  voltage. At t he o u tput  port,  the emitter fol l owe r   circuit  is u s e d  to  cut  down  n o ises  and  rip p les of  the  output vo ltage. Of  whi c h  the emitter fo llowe r is a c hi eved  by the  high-preci s io n ope ration al  amplifier i n trodu cing fe ed back  Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
TELKOM NIKA   e-ISSN:  2087 -278X       Electro n ically Tunable Im pedan ce -Mat ching Netwo r ks for Intellige n t RF Powe r… (Lian g  Li)  6675 to the invertin g input po rt form the output  por t. A 4×4 keyboard and  corre s p ondin g  indicators a r e   desi gned to improve human-com puter interope rability of this system, ensuring a bett e r   perfo rman ce i n  the ca se of indep ende nt operation.   The A D 52 92  is a  sin g le-cha nnel,  102 4-po sition  di gital pote n tio m eters that   combi n e s   indu stry leadi ng variabl e re sisto r  perfo rmance with  low re si stor to leran c e e r ror  feature sim p li fies   open -loo p ap plicatio ns a s  well as p r e c isi on calibra tion and tole ran c e mat c hi ng appli c atio ns.  These devices are cap a b le of  operat ing acro ss a  wide voltag e rang e, sup porting b o th dual  sup p ly operation at ±10.5 V to ±16.5 V and singl e supply ope rati on at +21 V to +33 V, while  ensurin g le ss than  1% e n d -to-end  resi stor tole ran c e e rro r  and  o ffering  20-tim e  p r og ramm a b le   (20 - TP) m e m o ry. The AD5292  device  wipe r setting s are controll able throug h  the SPI digital  interface.    3.2. Varactor  Model    The vara ctors in the m a tching n e two r k ar e  NXP BB179 varacto r  diode s. Since NXP   doe s not prov ide an ADS model [10], the diode mo d e l  was u s ed in  ADS together with the model  para m eters  o f  the spice m odel  NXP p r o v ided. The r ef ore, th e first  step i s  to  de sign the  vara ct or  model. Fig u re 2 sho w s th e topolo g y of varacto r  mo del. The  simu lation of the  model in th e  ADS  matche s the  data sh eet fro m  NXP fairly very well.        Figure 2. The  Topology of Vara ctor Mo d e l      3.3. Tunable  Impendenc e Matchin g  Ne t w o r k Desig n       Figure 3. Circuit of the Tunable Impen de nce Mat c hin g  Netwo r k    P a r a m S w eep S w eep1 S t ep= 0. 05 S t op= 30 St a r t = 0 S i m I nst anc eN am e[ 6] = S i m I nst anc eN am e[ 5] = S i m I nst anc eN am e[ 4] = S i m I nst anc eN am e[ 3] = S i m I nst anc eN am e[ 2] = S i m I nst anc eN am e[ 1] = " SP 1" S w eepV ar = " v 1 " PA RA M E T E R S W EE P VAR VAR 1 v1 = 1 . 0 Eq n Va r S_ Pa r a m SP1 F r eq= 0. 632 G H z Ca l c Z = y e s S- PA RA M E TER S C C1 C = 43. 0 pF B B 179_sy m bl e_v 3 X1 L L1 R= L= 1000. 0 nH V_ DC SR C1 Vd c = v 1  V Te r m Te r m 1 Z = 50 O h m Nu m= 1 S_ Pa r a m SP1 S t ep = 0 . 0 1 G H z S t o p = 0 .8  G H z S t ar t = 0. 5  G H z S- P A R A M E T E R S D i s p l a y T e m pl at e di s p t e m p 1 " S _P ar a m s _ Q uad _dB _S m i t h " Te m p Di s p M URA T A I n c l u d e mu R a t a mu R a t a MS U B MS u b 1 R ough = 0  m m T anD = 0 . 002 T = 35 um H u = 1 . 0e+ 0 33 m m C ond= 1. 0E + 5 0 Mu r = 1 Er = 3 . 5 H=0 . 8  m m MS u b Po r t P2 Nu m = 2 ML I N TL 2 6 L= 0. 5 m m W= 1 . 2  m m Su b s t = " M Su b 1 " ML I N TL 3 1 L = 0. 05 m m W= 1 . 2  m m S u bs t = " M S ub1" ML I N TL 3 0 L= 0 . 05  m m W = 1. 2 m m S u bs t = " M S u b1" C C3 3 C= c 2  p F  { t } M T EE_ AD S T ee6 W3 = 1 . 2  m m W2 = 1 . 2  m m W1 = 1 . 2  m m S ubs t = " M S u b 1 " V_ D C S RC5 Vd c = v 1  V C C3 4 C = 20 0. 0 pF L L5 R= L = 100 0. 0  nH B B 179 _s y m b l e_v 3 X5 C C3 2 C = 18 pF   { o } M T EE_ AD S Te e 5 W 3 = 1 .2  m m W 2 = 1 .2  m m W 1 = 1 .2  m m S u bs t = " M S u b1" ML I N T L29 L= 0. 05  m m W= 1 . 2  m m S ubs t = " M S u b 1 " ML I N T L27 L= 0. 05  m m W= 1 . 2  m m S ubs t = " M S u b 1 " C C2 5 C = 18 p F  { o } C C3 0 C=c 2  p F  { t } B B 1 79_ s y m b l e _v 3 X3 L L3 R= L= 100 0. 0 n H C C2 8 C = 200 . 0  p F V_ D C S RC3 Vd c = v 1  V ML I N TL 2 5 L= 0 . 5 m m W = 1. 2 m m S u bs t = " M S ub1" M T EE_ AD S T ee3 W3 = 1 . 2  m m W 2 = 6 . 2 9 236 0 m m W 1 = 3 . 0 2 684 0 m m S ubs t = " M S u b 1 " ML I N T L24 L= 6. 28  m m W = 6 . 29 m m S ubs t = " M S u b 1 " ML I N TL 2 3 L= 9. 6 m m W= 3 . 0 3  m m S u bs t = " M S ub1 " M T EE_ AD S Te e 4 W 3 = 1 .2  m m W2 = 3 . 0 3  m m W1 = 1 . 7 7  m m S u bs t = " M S u b1" ML I N TL 2 2 L= 33 . 6  m m W= 1 . 7 7  m m S u bs t = " M S ub1 " Po r t P1 Nu m = 1 ER B1 8 C2 7 V a l u e = " 3 .9 [p F ] " Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                               e-ISSN: 2 087-278X   TELKOM NIKA  Vol. 11, No . 11, Novemb er 201 3:  667 3 – 6678   6676 The tunabl e  impende nce matchin g  netwo rk p r o posed is firstly desig ne d in the  ADS200 8, The load-pull a nd sou r ce-pul l simulation s are do ne first l y to obtain the optimal in put  and  o u tput  im peda nces at different cent er  fre que ncy,  co rre sp ondi n g  the maxim u m output p o wer   and PAE, using the Freescale’ devi c es MRF 906 0 of 60W-PEP LDMOSFET . After that the   matchin g  net works are ob tained a c cord ing to Smit h cha r t tool in  ADS200 8, utilizing mi crost r ip  lines, va ra ct ors,  RF   swi t che s  a nd  capa citan c e s . Attention  should  be  p a id that  se ries  cap a cita nce must be use d   to avoid  th e  influe nce  o f  DC   cur r e n t .  Opt i mi zat i on  de sign  mu st  be   done to o b tai n  the optimu m  length of m i cro s tri p  lin e s  corre s p ondin g   different ce nter  fre quen ci es,  the value s  of  cap a cita nces  and voltag e could b e   tune d  by the tool s  of  ADS200 8. Figure  3 sho w s  the circuit o b t ained when  usin g re al-m odel s, MTEEs  an d Mu Rat a  ca pacita n ces to repla c e  the  ideal DC blo c k and transmi ssi on line s .       4. Results a nd Discu ssi on  4.1. Computer Simulation and Analy s is  The simul a tio n  test of the  varacto r s an d RF Switch e s –tun ed ele c troni cally Impedan ce - matchin g  n e tworks  wa s p e r forme d  o n  th e ADS2 008.  At first, the b and i s   divide d into  6 p a rts,  the   cente r  fre que ncie s a r e 5 0 0 MHz, 550 M H z, 6 00M Hz,  630M Hz, 7 0 0 MHz, 750 M H z, 8 00M Hz.  it is   importa nt to simulate the  netwo rk at dif f erent cent er  freque ncy, le aving the len g th of  micro s trip  lines fixed, th e state s  of switch es b e in g on o r   off and value s  for bias voltag e  adjusta ble.  After   this wo rk, th e con d ition s  of the varact ors,  RF  switches a nd cap a citan c e s  are  all determin ed  according to the req u ireme n t.  The tuning  ra nge is p e rfo r med in Figu re 4, as  sh own in the resul t s, it could re ach  wide  rang e imp e d ances,  co rre spondi ng fre q uen cy from 5 00-8 00M Hz. As a result o f  fixed length  of  microstri p  lin es, there a r e  still some im peda nces   wh ich the match i ng network could not re ach.  But for the  RFPA appli c ati ons, the  imp edan ce s a r e  relatively co n c entrated, a n d it is e nou g h  to   meet the req u irem ent.      Figure 4. Smith Chart s  for  Matche d Imp ende nce Cov e rag e  from 5 00M to 800M  Hz      Figure 5. Inse rtion Lo ss  (S21) of Matchi ng  Netw or k   Figure 6. Ret u rn Lo ss (S1 1 ) of Matchi n g   Netw or k   3 4 5 6 7 8 9 x 1 0 8 -5 -4 . 5 -4 -3 . 5 -3 -2 . 5 -2 -1 . 5 -1 -0 . 5 0 F r eq( Hz ) d B (s ( 2 , 1 )) T unab l e  Range 3 4 5 6 7 8 9 x 1 0 8 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 F r eq( H z ) dB (s (1, 1 ) ) T unabl e R ange Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
TELKOM NIKA   e-ISSN:  2087 -278X       Electro n ically Tunable Im pedan ce -Mat ching Netwo r ks for Intellige n t RF Powe r… (Lian g  Li)  6677 In addition, F i gure  5 sho w s the results  of in se rtion lo ss  (S21 ) of  the matching  netwo rk  whi c h is well above -0.5 dB at 500-80 0M Hz, by tuni ng  the varactors and turning t he RF switch es  on or off, the controlling  signals are given by t he ARM7(ADuC7026), in addition, the bias voltage  of varacto r s i s  obtaine d by the high-p r e c isi on  bia s  voltage cont rolli ng system. S-pa ramete rs had   a good p e rfo r mance from  500M Hz to 8 00MHz. From  Fi gure 5, it is clea r to obtai n that the wid t h   of the stability of in-band freque ncy re sp onse  be come s wid e r by the increa sing f r equ en cy.  S11 are di sp layed in Figu re 6, co rresp ondi n g  value s  are mainly unde r -2 0 dB in the  whol e ba nd.  With in crea ses of  ope rati ng fre que ncy ,  band width  belo w  -20 dB  is a bout 6  times  wide r than th at desig ned i n  lowe r freq u ency a s   a re sult of the optimum micro s trip lines.     4.2. Hard w a r e  Implementation of  Bia s  Voltage Co ntrolling Sy s t em   The photo o f  high-p r e c isi on bia s  voltage c ontrolli ng system i s  sho w n in F i gure 7,  verifying the reliability and  effectiveness of the  method proposed i n  this  paper, 8  hi gh-preci si on  10-bit di gital  potentiometers are used f o r the ha rdware im plementation, the controlling dev ice  utilized in the system is A D uC7026, experim ent pla tform is  built accordi ng to di gital multimeter  (UT 58E) a nd  oscillo scope (Agilent 5462 2 D ).         Figure 7. Hardwa re Imple m entation of High - pre c isi on Bia s  Voltage Co ntrolling Syst em for  Varac t or  Figure 8. The  Graph  of the Absolute Erro r  (AbsE )  of the Measured Vo ltage Re sult a t  the  Ran ge of 2.5 V ~5V       Finally, this pape r gives t he key testin g data of the controlling system. As sh own i n   Figure 8, a b solute e rro r m easure d  i s  le ss than  5mV, gre a ter th an  or  equ al to 1 m V for the  fine- tuning ne ed s. The analy s is of the testing re sult s  sho w s the fea s ib ility of the controlling  syst em   and meetin g the actu al req u irem ent.      5. Conclusio n   This pa per h a s i n tro d u c ed  a  ne w  stru ct ur e  for a tu n able i m ped an ce-matching   netwo rk  for intelligent  RF Front-E nds of p o we r amplifie rs  whi c h a r e ap plied in b r oa dban d Co gni tive   Radi o syste m s. The tuna ble imped an ce matchin g   n e twork con s i s ts of vara ct ors,  RF switches  and micro s tri p  lines utilize d  both individually  and combine d  fro m  500M to 800M Hz that has  variable  cha r acteri stic im p edan ce s. In addition,  in orde r to imp r ove the non linear p r obl e m   cau s e d  by varacto r , a high -preci sio n  bia s  voltage sup p lier is d e si gn ed.  Thro ugh  sim u lation s and  measurement s, it is  sho w n  that the desi gn co uld be  use d  to   reali z e a tu na ble matching  netwo rk fo r  Cognitive  Radi o appli c ation s , with the S11  mainly und er - 20dB an d S21 well ab ove  -0.5dB for the  netwo rk.  Hi g h -p re cisi on bi as voltage  co ntrolling  syste m   is demo n st rat ed togethe r with absol ute e rro r mo stly closin g to 1mV.    0.000  0.001  0.002  0.003  0.004  0.005  0.006  2.500 3.000 3.500 4.000  4.500 5.000  AbsE|OUTPU-INPUT|(V) INPUT VO LTAG E(V) Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.
                               e-ISSN: 2 087-278X   TELKOM NIKA  Vol. 11, No . 11, Novemb er 201 3:  667 3 – 6678   6678 Ackn o w l e dg ements   This work  was  pa rtially suppo rted  by  the National  Scie nce a n d  Te ch nolog y Major  Proje c t of Chin a (2 010 ZX0300 7-0 0 3 - 04 ), the National  Natu ral Sci e n c e  Found ation  of  Chin a(6 117 1 040),  the K e y Proje c t  o f  Internati o n a l Coop erati on of  the P r ovinci al S c i ence   Tech nolo g y Major P r oje c ts of Z heji ang  (201 0C1400 7), the  Provinci al  Natural Sci e nce   Found ation  o f  Zhejia ng  (Y 1101 270 ), th e Natural Sci ence F ound a t ion of  Ning b o  (2011A 610 188)  and the Scie n t ific Research  Foundatio n o f  Gradu ate Scho ol of Ning bo Unive r sity(G12 JA019 ).       Referen ces   [1]  W en C, Y  Z h a o , Z  Jun.  Com pact a n d  W i de  Up perSto pba nd T r ipleM o d e  Broa db and  Mi crostrip BPF .   T E LKOMNIKA Indon esi an Jou r nal of Electric al Eng i ne eri n g .  2012; 1 0 (2): 3 53-3 58.   [2]  Li S, J Z hou.  T r ansmitter  Station R e mot e  Moni t o r S y s t em Based  on  Bro w ser/Serv er Structure.   T E LKOMNIKA Indon esi an Jou r nal of Electric al Eng i ne eri n g .  2013; 1 1 (3): 1 594- 159 9.   [3]  Don g ji ang  Qia o , Rob e rt Mo lfino, et  al. A n  in te lli ge ntl y  control l e d  R F  po w e r  amp lifier  w i t h   a   reconfi gura b l e  MEMS-varacto r tuner.  IEEE Transacti ons o n  Microw ave The o ry and Tec hni ques . 20 05;  53(3): 10 89- 10 94.   [4]  Maune H, M  Sazegar, R Jakoby .  T una bl e impe danc e match i n g  netw o rks for agil e  RF  pow er   amplifi e rs . in M i cro w av e S y mp osium Di gest ( M TT), IEEE MTT-S International. 20 11; 1-4.   [5] Youn gch ang   Y oon,   Ji h w a n   Ki m, et al.  A  dua l -mode  CMOS  RF  po w e r  amp lifier  w i th  int egr ated t una bl e   matchin g  net w o rk.  IEEE Transactions o n  Mi crow ave Theor y and Techn i q ues . 201 2; 60( 1): 77-88.   [6]  Gani Re gi na, Grant A Ellis,   T eoh Chin So on. Reco nfig ur abl e GaAs MMIC Po w e r A m plifier D e si gn   Method olo g y  U s ing a T unab le  Interstage Net w o r k.  Microw ave Journ a l . 20 11; 54(4): 7 8 -9 2.  [7]  Qin Shen, N  Scott Barker. Distribut ed ME MS t unabl e matchin g  net w o r k  using mi nim a l-co ntact RF - MEMS varactors.  IEEE  Transactions o n  Micr ow ave Theory  and Tech ni que s . 2006; 54( 6): 264 6-26 58.   [8]  Hon g -T euk Kim, Hong-T euk Kim, et al.  Low - l o ss a nal og  and d i git a l micr omach i ne d imp eda nce tun e rs   at the Ka-ba n d .  IEEE  Transac tions on Micr o w ave Theory a nd Techn i q ues . 2001; 49( 12): 239 4-24 00.   [9]  H y un g w o o k Ki m, Youngc han g Yoo n I, et al.  A fully inte grat ed CMOS RF  pow er a m pl ifie r w i th tunab l e   m a tching network for GSM/ED GE dua l- mod e  ap plic atio n . in Micro w ave  S y mposium Digest (MTT ) .   IEEE MTT - S  In ternatio nal. 2 0 10; 800- 80 3.  [10]  Che n  K, Perou lis D. Desi gn  o f  Adaptive H i g h l y  Efficient G a N Po w e r Amplifier for Octa ve-Ban d w i d t h   Appl icatio n an d D y nam ic Lo a d  Modu lati on.  IEEE Transacti ons on Micr ow ave Theory  an d Techni qu es .  201 2; 60(6): 18 29-1 839.   [11]  F r eitas V, Arnould J, F e rrari P.  T heoretical a nalysis a nd d e s ign of efficie n t tunabl e matchi ng netw o rks.   in IEEE M T T - S  International  Micro w av e  & Optoelectronics  Con f. 2011; 303-307.  [12]  van B e zo oij e n  A, Maur ice  A, et al. A d a p tive  Imp e d a n c e-Matchi ng T e chn i qu es for  Co ntroll ing  L - net w o rks.  IEEE Transactions  on  Circuits and System s . 20 10; 57(2): 4 95- 505.   Evaluation Warning : The document was created with Spire.PDF for Python.